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更新時間：2023-06-12 14:14:28瀏覽次數(shù)：322評價
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高精度介質(zhì)損耗角正切值試驗儀—介電損耗角正切
介電損耗角正切是指表征電介質(zhì)材料在施加電場后介質(zhì)損耗大小的物理量，以tanδ來表示，δ是介電損耗角。
定義：
介電損耗角正切又稱介質(zhì)損耗角正切，是指電介質(zhì)在單位時間內(nèi)每單位體積中，將電能轉(zhuǎn)化為熱能（以發(fā)熱形式）而消耗的能量。表征電介質(zhì)材料在施加電場后介質(zhì)損耗大小的物理量，以tanδ來表示，δ是介電損耗角。
介質(zhì)損耗角是在交變電場下，電介質(zhì)內(nèi)流過電流向量和電壓向量之間的夾角 。
原理：
材料介電性能主要用介電常數(shù)ε和介電損耗角正切tanδ來表征，其中介電常數(shù)是綜合反映電介質(zhì)極化行為的宏觀物理量。介電損耗角正切表征每個周期內(nèi)介質(zhì)損耗的能量與其貯存能量之比。
作用: 在實際工程應(yīng)用中，介質(zhì)損耗通常都是用介質(zhì)損耗角的正切tanδ來表示的。用tanδ值來研究電介質(zhì)損耗具有以下兩個明顯的優(yōu)點：
（1）tanδ值可以和介電常數(shù)ε同時測量得到；
（2）tanδ值與測量樣品的大小和形狀都無關(guān)，是電介質(zhì)自身的屬性，并且在許多情況下，tanδ值比ε值對介質(zhì)特性的改變敏感的多 。
用例：
高分子材料多系絕緣性好的材料，廣泛的用于電子及電工行業(yè)。使用時不希望絕緣材料本身能量損耗大，因而測量出介質(zhì)損耗因數(shù)就能評價材料的介質(zhì)本身能量損耗。工業(yè)上多選用介質(zhì)損耗因數(shù)小的高分子材料作為絕緣材料。通常極性橡膠的tanδ比非極性橡膠的大。它還與試驗采用的頻率、溫度緊密相關(guān)。在一定溫度下，只有在某一頻率范圍內(nèi)，分子偶極取向雖可追隨電場變化，但不wan全同步，有部分電能被吸收而發(fā)熱，tanδ出現(xiàn)最大值。同樣在一定頻率下，惟有某一溫度區(qū)域內(nèi)tanδ才會出現(xiàn)極大值，當頻率升高時，介質(zhì)損耗峰移向高溫端。
高精度介質(zhì)損耗角正切值試驗儀參數(shù)介紹：
功能名稱： | ZJD-A | ZJD-B | ZJD-C |
信號源范圍DDS數(shù)字合成信號 | 10KHZ-70MHz | 10KHZ-110MHz | 100KHZ-160MHz |
信號源頻率精度:6位有效數(shù) | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 | 3×10-5 ±1個字 |
Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 | 1-1000自動/手動量程 |
Q分辨率 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 | 4位有效數(shù),分辨率0.1 |
Q測量工作誤差 | <5% | <5% | <5% |
電感測量范圍:4位有效數(shù),分辨率0.1nH | 1nH-8.4H , 分辨率0.1nH | 1nH-8.4H 分辨率0.1nH | 1nH-140mH分辨率0.1nH |
電感測量誤差 | <5% | <5% | <5% |
調(diào)諧電容 | 主電容30-540pF | 主電容30-540pF | 主電容17-240pF |
電容直接測量范圍 | 1pF～2.5uF | 1pF～2.5uF | 1pF～25nF |
調(diào)諧電容誤差 | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% | ±1 pF或<1% |
諧振點搜索 | 自動掃描 | 自動掃描 | 自動掃描 |
LCD顯示參數(shù) | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct等 | F，L，C，Q，Lt，Ct，Tn，Er等 |
殘余電感自動扣除功能 | 有 | 有 | 有 |
大電容值直接測量顯示功能 | 測量值可達2.5uF | 測量值可達2.5uF | 測量值可達25nF |
介質(zhì)損耗系數(shù) | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 | 精度 萬分之一 |
介電常數(shù) | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 | 精度 千分之一 |
材料測試厚度 | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm | 0.1mm-12mm |
介電常數(shù) | 手動測試 | 手動測試 | 自動測試 |
USB接口 | 支持介電常數(shù)輸出以及產(chǎn)生曲線 |
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