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深圳瑞兆來(lái)科技有限公司

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IGBT晶體管

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產(chǎn)品型號(hào)IKW15N120T2

品牌英飛凌/Infineon

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

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更新時(shí)間：2022-06-21 15:00:11瀏覽次數(shù)：392次

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深圳瑞兆來(lái)科技有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：經(jīng)銷商

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所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：方奕珊（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

封裝	TO-247	批號(hào)	21+ 2106+

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

詳細(xì)介紹

IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上;

IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn).

1200 V IGBT，采用反并聯(lián)二極管，TO-247 封裝

1200 V，15 A 硬開(kāi)關(guān) TRENCHSTOP™ 第四代 IGBT，與定續(xù)流二極管聯(lián)合封裝到 TO-247 封裝中，結(jié)合溝槽柵和場(chǎng)終止概念，顯著改善器件靜態(tài)及動(dòng)態(tài)性能。IGBT 與軟恢復(fù)發(fā)射極控制二極管相結(jié)合，進(jìn)一步降低接通損耗。在開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗之間做出優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率。

特征描述

• 低 VCEsat 壓隆，降低傳導(dǎo)損耗

• 低開(kāi)關(guān)損耗

• VCEsat 具備正溫度系數(shù)，實(shí)現(xiàn)輕松并聯(lián)開(kāi)關(guān)能力

• 極軟、快速恢復(fù)防并聯(lián)發(fā)射極控制二極管

• 高穩(wěn)健性和溫度穩(wěn)定性

• 低 EMI 排放

• 低柵極電荷

• 參數(shù)分布非常緊湊

優(yōu)勢(shì)

• 高效率 – 低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗

• 豐富的 600 V 和 1200 V 產(chǎn)品組合，支持靈活設(shè)計(jì)

• 器件高可靠性

應(yīng)用領(lǐng)域

• 不間斷電源（UPS）

• 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

• 太陽(yáng)能系統(tǒng)解決方案

品牌：	INFINEON
型號(hào)：	IKW15N120T2
制造商：	Infineon
產(chǎn)品種類：	IGBT 晶體管
RoHS：	是
封裝：	TO-247
安裝風(fēng)格：	Through Hole
配置：	Single
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO：	1200 V
集電極—射極飽和電壓：	2.2 V
柵極/發(fā)射極電壓：	20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流：	30 A
Pd-功率耗散：	235 W
工作溫度：	- 40 C + 175 C
系列：	Trenchstop IGBT3
集電極連續(xù)電流 Ic：	30 A
柵極—射極漏泄電流：	600 nA

關(guān)鍵詞：IGBT 雙極型晶體管變頻器 UPS 不間斷電源

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