集成電路、場效應管

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參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號IPD60R280P7S

品牌英飛凌/Infineon

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

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聯(lián)系方式：方奕珊查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-06-10 10:38:09瀏覽次數(shù)：646次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  英飛凌/Infineon
  其他品牌

深圳瑞兆來科技有限公司

經(jīng)營模式：經(jīng)銷商

商鋪產(chǎn)品：21條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：方奕珊（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

封裝	TO-252	晶體管類型	場效應晶體管
批號	21+ 2115+

FET類型：N 通道
漏源電壓（Vdss）：600 V
漏極電流(Id)：12 A
漏源導通電阻(RDS On)：280 m?
耗散功率：53 W
配置類型：Single
工作溫度范圍：-40 °C 150 °C
安裝類型：SMT

詳細介紹

優(yōu)化超結(jié) MOSFET 兼具高能效和易用性

600V CoolMOS™ P7 超結(jié) (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后續(xù)產(chǎn)品。該產(chǎn)品繼續(xù)在設(shè)計過程中的高效率與易用性之間保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平臺具有同類中較為出色的R onxA 和固有低柵極電荷 (Q G)，確保高效率。

特征描述

效率

• 600V P7 支持優(yōu)異 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G

使用方便

• 集成 ESD 二極管，從 180mN 起且高于 R DS(on)s

• 集成柵極電阻器 R G

• 堅固體二極管

• 涵蓋通孔和表面封裝的豐富產(chǎn)品線

• 標準級和工業(yè)級部件可供選擇

優(yōu)勢

效率

• 優(yōu)異 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，實現(xiàn)更高效率