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          行業(yè)產(chǎn)品

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          武漢普賽斯儀表有限公司


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          IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備

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          參  考  價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號(hào)E300

          品       牌

          廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

          所  在  地武漢市

          聯(lián)系方式:陶女士查看聯(lián)系方式

          更新時(shí)間:2021-11-22 14:19:32瀏覽次數(shù):505次

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介
          Z大輸出功率 300W,3000V/100mA(不同型號(hào)有差異); 輸出電壓建立時(shí)間 < 5ms;
          輸出接口 KHV(三同軸),支持四線測(cè)量;    

          IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試需要的儀器是一系列的,具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測(cè)方案哦!普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白

          詳細(xì)介紹

          選擇普賽斯儀表的理由:
          1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
                 技術(shù)雄厚,多項(xiàng)磚利,自主可控
          2、可定制化方案
                 聚焦鮮進(jìn)器件,提供成熟可落地定制化方案
          3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
                 國(guó)貨精品,品質(zhì)保障,對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品

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          IGBT測(cè)試難點(diǎn):

          1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試。

          2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。

          3、IGBT動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動(dòng)切換的模塊進(jìn)行測(cè)試。

          4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測(cè)試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測(cè)試,用于評(píng)估期間的自加熱特性。

          5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測(cè)試非常重要。

          6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動(dòng)態(tài)參數(shù)的測(cè)試。


          IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。


          那么IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試需要哪些儀器呢?

          E系列高電壓源測(cè)單元具有輸出及測(cè)量電壓高3000V)、能輸出及測(cè)量微弱電流信號(hào)(1nA)的特點(diǎn)。設(shè)備工作在D一象限,輸出及測(cè)量電壓0~3000V,輸出及測(cè)量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式,同時(shí)支持豐富的I-V掃描模式。

          用于IGBT擊穿電壓測(cè)試,IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試母線電容充電電源、IGBT老化電源,防雷二極管耐壓測(cè)試,壓敏電阻耐壓測(cè)試等場(chǎng)合。其恒流模式對(duì)于快速測(cè)量擊穿點(diǎn)具有重大意義。

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          E300高電壓源測(cè)單元



          P系列脈沖源表是普賽斯在直流源表的基礎(chǔ)上新打造的一款高精度、大動(dòng)態(tài)、數(shù)字觸摸源表,匯集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,Z大脈沖輸出電流達(dá)10A,Z大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中。P系列源表適用于各行各業(yè)使用者,特別適合現(xiàn)代半導(dǎo)體、納米器件和材料、有機(jī)半導(dǎo)體、印刷電子技術(shù)以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。

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          P系列脈沖源表


          總之,IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試需要的儀器是一系列的,具體可以找生產(chǎn)廠家普賽斯儀表為您提供檢測(cè)方案哦!


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