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少子壽命測試儀

XH-120是一款經(jīng)濟實用的硅晶片少子壽命測量儀器，控制裝置既適用于研究也適用于生產(chǎn)。采用準穩(wěn)態(tài)光電導（QSSPC） 測量方法測量，此方法是測量硅片，摻雜物擴散，和少子壽命的*方法。

功能特點
■ 準穩(wěn)態(tài)光電導法（QSSPC）
■ 非接觸式少子壽命測量
■ 可測單晶多晶硅片少子壽命，電阻率， 陷阱密度，發(fā)射極飽和電流密度，和隱含電壓
■ 檢測晶片加工過程中重金屬污染
■ 測量范圍：0.1μs~大于10ms
■ 可用頻譜：白光和紅外照明
■ 傳感器領域：40毫米（直徑）
■ 樣本標準直徑：40–210 mm （尺寸較小，也可測量）
■ 硅片厚度范圍：10–2000 μm （其他厚度可衡量）
■ 儀器尺寸：22.5 cm W x 28 cm D x 57 cm H

延伸閱讀

準穩(wěn)態(tài)光電導衰減法（QSSPC）和微波光電導衰減法（MWPCD）的比較

QSSPC方法*于其他測試壽命方法的一個重要之處在于它能夠在大范圍光強變化區(qū)間內對過剩載流子進行測量，同時可以結合 SRH模型，得出各種復合壽命，如體內缺陷復合中心引起的少子復合壽命、表面復合速度等隨著載流子濃度的變化關系。

MWPCD方法測試的信號是一個微分信號，而QSSPC方法能夠測試少子壽命的真實值，MWPCD在加偏置光的情況下，結合理論計算可以得出少子壽命隨著過剩載流子的變化曲線，而QSSPC直接就能夠測得過剩載流子濃度，因此可以直接得出少子壽命與過剩載流子濃度的關系曲線，并且得到PN結的暗飽和電流密度；MWPCD由于使用的脈沖激光的光斑可以做到幾個到十幾個，甚至更小的尺寸，在照射過程中，只有這個尺寸范圍的區(qū)域才會被激發(fā)產(chǎn)生光生載流子，也就是得到的結果是局域區(qū)域的差額壽命值，這對于壽命分布不均勻的樣品來說，結果并不具備代表性。