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RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統(tǒng)
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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)- 產(chǎn)品型號
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訪問次數(shù)：457更新時間：2020-07-15 15:32:17
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產(chǎn)品簡介
產(chǎn)品介紹
RTM660C無接觸式硅片厚度電阻率測試系統(tǒng)
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無接觸式測量，使得測試過程變得十分高效。系統(tǒng)采用一體化設(shè)計，結(jié)構(gòu)緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺上轉(zhuǎn)動硅片，測試數(shù)據(jù)可即時顯示，并可對測試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測試結(jié)果精確且穩(wěn)定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產(chǎn)及質(zhì)檢等場所，友好的人機(jī)交互界面，使用相當(dāng)便捷。
技術(shù)參數(shù)
■ 硅片規(guī)格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測試功能
厚度：單點(diǎn)及多點(diǎn)厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：單點(diǎn)及多點(diǎn)體電阻率
■ 測試指標(biāo)
厚度范圍：150～1000μm
測量誤差：≤±1.0μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測量誤差：≤±0.50μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測量誤差：≤±3%
重復(fù)性：≤1.5%
■ 設(shè)備尺寸/重量：470mm（L）x420mm（W）x600mm（H）/20Kg
■ 測試環(huán)境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機(jī)
系統(tǒng)演示
系統(tǒng)操作演示
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