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KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國* KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

型號	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-3005A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標準或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動或快接法蘭
- 高度	3.0'
- 直徑	3.7'
- 加工材料	金屬電介質(zhì) 半導體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

霍爾離子源 Gridless 提供高電流低能量 end-Hall 系列產(chǎn)品,包含寬束霍爾離子源和電源控制器,整體設(shè)計,易于系統(tǒng)集成, 霍爾離子源典型應(yīng)用：輔助鍍膜 IABD,鍍膜預清潔 ISSP,離子蝕刻等