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詳細介紹
EDI超純水設(shè)備適用于集成電路芯片，單晶硅，顯象管，液晶顯示器，計算機硬盤，線路板等工藝所需的純水和超純水制備。其關(guān)鍵器件采用美國Electropure公司的EDI模塊及HANNA公司的電導率表、電阻率表。其它主要配件則采用了國產(chǎn)優(yōu)質(zhì)材料及配件。這種配置方法既保證了設(shè)備*穩(wěn)定的運行以節(jié)約了投資成本，進一步推動了EDI這種環(huán)保易用的水處理設(shè)備在中國的應(yīng)用。本公司生產(chǎn)的PR-RO-EDI一體化設(shè)備采用全自動控制系統(tǒng)，操作簡單，不需要酸堿再生，可連續(xù)生產(chǎn)；不需要處理廢酸堿，安裝條件簡單，系統(tǒng)設(shè)計簡單，運行成本低，水質(zhì)穩(wěn)定，安裝維修簡便。
EDI與傳統(tǒng)混床的比較——
| 項目 | EDI | 混床 |
| 產(chǎn)水性質(zhì) | 15～18MΩ·cm | 2～10MΩ·cm |
| 穩(wěn)定性 | 水質(zhì)穩(wěn)定 | 水質(zhì)受樹脂交換狀況，再生品質(zhì)影響大 |
| 操作性 | 操作簡便，無需專業(yè)熟練工 | 再生時對操作人員操作水平要求高 |
| 環(huán)保性 | 無需酸堿，無任何化學汙染 | 需要酸堿再生，需解決酸堿儲存與排放的問題 |
| 連續(xù)運行 | 再生時無需停機，邊運行邊再生 | 再生時需要停機再生 |
| 運行費用 | 低 | 高 |
| 初期投資 | 較高 | 低 |
拋光混床：采用高交換容量、充分再生、無化學析出的核子級樹脂，去除純水中殘余的微量帶電離子及弱電解質(zhì)，使水質(zhì)達到18MΩ·cm以上。
EDI模塊進水條件
| PH值 | 5.0～9.5 |
| 電導率 | 1~20μs/cm,*導電率2～20μs/cm |
| 總C02 | <5ppm |
| 硅 | <0.5ppm |
| 硬度以（CaC03計） | <1.0ppm |
| 進水壓力 | 0.15～0.5MPa |
典型超純水工藝流程圖
應(yīng)用領(lǐng)域：
超純水常用于微電子工業(yè)、半導體工業(yè)、發(fā)電工業(yè)和實驗室。
EDI模塊結(jié)構(gòu)特點
1、淡水隔板采用衛(wèi)生級PE材料
2、EDI膜片采用進口均相膜和國產(chǎn)異相離子交換膜
3、采用進口EDI均粒樹脂和國產(chǎn)EDI均粒樹脂
4、EDI電極板采用鈦鍍釕技術(shù)
5、壓緊板采用具有硬性的合金鋁軋鑄而成。
6、固定螺絲采用國標標準件
7、膜堆出廠zui高試壓7bar不漏水
8、膜堆電阻低、功耗小
9、外觀裝飾板造型美觀結(jié)實
10、zui大膜堆處理水量3T/H，zui小模堆處理水量75L/H
11、純水、濃水、極水通道設(shè)計合理，不易堵塞，水流分布均勻、*。
進水指標要求：
◎通常為單級反滲透或二級反滲透的滲透水
◎TEA（總可交換陰離子，以CaCO3計）：＜25ppm。
◎電導率：＜40μS/cm
◎ＰH：6.0～9.0。當總硬度低于0.1ppm時，EDI*工作的pH范圍為8.0～9.0。
◎溫度： 5～35℃。
◎進水壓力：＜4bar（60psi）。
◎硬度：（以CaCO3計）：＜1.0ppm。
◎有機物（ TOC）：＜0.5ppm。
◎氧化劑：Cl2＜0.05ppm，O3＜0.02ppm。
◎變價金屬： Fe＜0.01ppm，Mn＜0.02ppm。
◎H2S：＜0.01ppm。
◎二氧化硅：＜0.5ppm。
◎色度：＜5APHA。
◎二氧化碳的總量：＜10ppm
◎SDI 15min：＜1.0。
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