半導(dǎo)體特性測(cè)試儀（ST-DC2000_X 系列）
可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 的大中小功率的半導(dǎo)體分立器件及模塊的靜態(tài)直流參數(shù)，（測(cè)試范圍包括Si（硅）/SiC（碳化硅）/GaN（氮化鎵）材料的IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件）高壓源2000V ，大電流源 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA
支持曲線(xiàn)掃描圖示功能。

詳細(xì)介紹

半導(dǎo)體特性測(cè)試儀

（ST-DC2000_X 系列）

可測(cè)試 19大類(lèi)27分類(lèi) 的大中小功率的半導(dǎo)體分立器件及模塊的靜態(tài)直流參數(shù)，（測(cè)試范圍包括Si（硅）/SiC（碳化硅）/GaN（氮化鎵）材料的IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 等器件）高壓源2000V ，大電流源 50~1250A，分辨率可高至1mV / 10pA

支持曲線(xiàn)掃描圖示功能，029-87309001/垂詢(xún)

產(chǎn)品介紹

ST-DC2000_X 系列半導(dǎo)體特性測(cè)試儀是我公司研發(fā)生產(chǎn)的一款經(jīng)典產(chǎn)品，擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流和測(cè)試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試條點(diǎn)擊即可完成測(cè)試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。面板顯示裝置可及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過(guò)功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計(jì)算機(jī)獨(dú)立完成多種工作。

曲線(xiàn)追蹤儀（晶體管圖示儀）功能則是利用高速ATE測(cè)試步驟逐點(diǎn)生成曲線(xiàn)，可快速而準(zhǔn)確地生成精確的數(shù)據(jù)點(diǎn)。數(shù)據(jù)增量是可編程的線(xiàn)性或?qū)?shù)，典型的每步測(cè)試時(shí)間為6到20ms。一個(gè)兩百條數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線(xiàn)通常只需幾秒鐘就能完成。使用該系列跟蹤儀更容易獲取諸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFET RDSvs. VGS 等曲線(xiàn)數(shù)據(jù)。此外，針對(duì)多條曲線(xiàn)，設(shè)備可以根據(jù)每條曲線(xiàn)的數(shù)據(jù)運(yùn)行并將所獲數(shù)據(jù)自動(dòng)發(fā)送到一個(gè)單獨(dú)的 Excel 工作表。系統(tǒng)能夠更快，更簡(jiǎn)潔的創(chuàng)*線(xiàn)（單擊，雙擊，選擇輸入菜單，單擊）。就是這么簡(jiǎn)單。

支持在單個(gè) DUT 上運(yùn)行高達(dá) 10 條不同曲線(xiàn)的能力，在運(yùn)行過(guò)程中，每個(gè)圖表都是可視的，每個(gè)數(shù)據(jù)集都被加載到一個(gè)被命名的 Excel 工作表中。系統(tǒng)運(yùn)行速度快，可進(jìn)行數(shù)據(jù)記錄，提供更高級(jí)的數(shù)據(jù)工具箱，能夠運(yùn)行多條曲線(xiàn)并自動(dòng)排序，自動(dòng)將數(shù)據(jù)存入 Excel 表格，具有縮放功能，光標(biāo)重新運(yùn)行功能以及其他許多優(yōu)點(diǎn)。

該設(shè)備提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

產(chǎn)品應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域

院所、高校、半導(dǎo)體器件生產(chǎn)廠(chǎng)商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機(jī)、白色家電、新能源汽車(chē)、軌道機(jī)車(chē)等所有的半導(dǎo)體器件應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈 ……

主要用途

測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試）
失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試，查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過(guò)程提出改善方案）
選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類(lèi)配對(duì)）
來(lái)料檢驗(yàn)（研究所及電子廠(chǎng)的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠(chǎng)器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
量產(chǎn)測(cè)試（可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類(lèi)輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、自動(dòng)化測(cè)試）

技術(shù)規(guī)格
高壓源

范圍：±2.500mV~1000V（選配2000V）

分辨率：1mV

精度：1%+10mV

大電流源

范圍：標(biāo)配±1nA~50A（選配100A / 250A / 500A 750A / 1000A / 1250A）

分辨率：1nA /10pA（10pA加微電流選件）

精度：1%+10nA+20pA/V

控制極電壓

范圍：±2.500mV~20V（選配80V）

分辨率：1mV

精度：1%+5mV

控制極電流

范圍：±1nA~10A（選配40A）

分辨率：10nA

精度：10nA+20pA/V

測(cè)試效率：0.5mS/1個(gè)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)
測(cè)試范圍廣（通測(cè)19大類(lèi)，27分類(lèi)半導(dǎo)體器件，覆蓋市面上常見(jiàn)的所有分立器件）
升級(jí)擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可提高電壓電流，和增加測(cè)試品種范圍
采用脈沖測(cè)試法，脈沖寬度為美軍標(biāo)規(guī)定的300us
被測(cè)器件引腿接觸自動(dòng)判斷功能，遇到器件接觸不良時(shí)系統(tǒng)自動(dòng)停止測(cè)試, 保證被測(cè)器件不受損壞
真正的動(dòng)態(tài)跨導(dǎo)測(cè)試。（主流的直流方法測(cè)動(dòng)態(tài)跨導(dǎo) ，其結(jié)果與器件實(shí)際值偏差很大）
系統(tǒng)故障在線(xiàn)判斷修復(fù)能力，便于應(yīng)急處理排障
二極管極性自動(dòng)判別功能，無(wú)需人工操作
IV 曲線(xiàn)追蹤掃描及顯示 / 局部放大
程序保護(hù)大電流/電壓,以防損壞
具有品種繁多的IV曲線(xiàn)
可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)
增加線(xiàn)性或?qū)?shù)
可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
保存和重新導(dǎo)入入口程序
保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
曲線(xiàn)圖以及測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)保存為EXCEL和TXT文本格式；
支持電壓電流階梯升級(jí)至2000V,1250A

測(cè)試種類(lèi)及參數(shù)
IGBT

ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS

MOSFET / MOS場(chǎng)效應(yīng)管

IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS

J-FET / J型場(chǎng)效應(yīng)管

IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF

晶體管（NPN/PNP）

ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF

DIODE / 二極管

IR；BVR ；VF

ZENER / 穩(wěn)壓、齊納二極管

IR；BVZ；VF；ZZ

DIAC / 雙向觸發(fā)二極管

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

OPTO-COUPLER / 光電耦合

ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)

RELAY / 繼電器

RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME

TRIAC / 雙向可控硅

VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-

SCR / 可控硅

IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH

STS / 硅觸發(fā)可控硅

IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-

DARLINTON / 達(dá)林頓陣列

ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON

REGULATOR / 三端穩(wěn)壓器

Vout；Iin；

OPTO-SWITCH / 光電開(kāi)關(guān)

ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF

OPTO-LOGIC / 光電邏輯

IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF

MOV / 金屬氧化物壓變電阻

ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；

SSOVP / 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器

ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ-

VARISTOR / 壓變電阻

ID+； ID-；VC+ ；VC-

公司介紹

西安天光測(cè)控技術(shù)有限公司029-87309001 是一家專(zhuān)業(yè)從事半導(dǎo)體功率器件測(cè)試設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售的*。產(chǎn)品有半導(dǎo)體分立器件測(cè)試篩選系統(tǒng)。Si , SiC , GaN 材料的 IPM , IGBT , MOS , DIODE , BJT , SCR的電參數(shù)及可靠性和老化測(cè)試。靜態(tài)單脈沖（包括導(dǎo)通、關(guān)斷、擊穿、漏電、增益等直流參數(shù)）動(dòng)態(tài)雙脈沖（包括 Turn_ON_L, Turn_OFF_L , FRD , Qg）Rg , UIS , SC , C, RBSOA 等。環(huán)境老化測(cè)試（包括 HTRB , HTGB , H3TRB , Surge 等）熱特性測(cè)試（包括 PC , TC , Rth , Zth , Kcurve 等）各類(lèi)全系列測(cè)試設(shè)備。廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件上游產(chǎn)業(yè)（設(shè)計(jì)、制造、封裝、IDM廠(chǎng)商、晶圓、DBC襯板）和下游產(chǎn)業(yè)（院所高校、電子廠(chǎng)、軌道機(jī)車(chē)、新能源汽車(chē)、白色家電等元器件的應(yīng)用端產(chǎn)業(yè)鏈）。

公司團(tuán)隊(duì)匯集了來(lái)自國(guó)內(nèi)*院校及電力電子行業(yè)的專(zhuān)家教授。擁有眾多*的革命性創(chuàng)新技術(shù)。產(chǎn)品成熟可靠，久經(jīng)市場(chǎng)考驗(yàn)，在替代進(jìn)口產(chǎn)品方面有著突出的優(yōu)勢(shì)。公司從產(chǎn)品到服務(wù)，從技術(shù)咨詢(xún)到現(xiàn)場(chǎng)支持，可覆蓋功率器件的初始研發(fā)到規(guī)?；a(chǎn)的整個(gè)領(lǐng)域。

展望未來(lái)，15596668116王生，公司將全力發(fā)揮自身技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為客戶(hù)提供多方位專(zhuān)家級(jí)的技術(shù)支持以及更多的經(jīng)典產(chǎn)品。

歡迎各位來(lái)電垂詢(xún)。

2020.04.29/葉