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          日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500

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          • 日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500

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          更新時(shí)間:2023-06-24 19:55:16瀏覽次數(shù):223

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介

          產(chǎn)品介紹:H-9500是一款300kV原位環(huán)境透射電鏡,其的特點(diǎn)是可以進(jìn)行原位實(shí)時(shí)觀察。相比于普通的透射電鏡,H-9500可以實(shí)現(xiàn)樣品在不同條件(如氣體、加熱等)刺激下的原位觀察,同時(shí)保證高分辨

          詳細(xì)介紹

          主要特點(diǎn):

          高效快捷的數(shù)字化電子顯微鏡

          5分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)300kV高壓下電子束發(fā)射(自動(dòng)模式),1分鐘換樣時(shí)間。

          快慢雙模式照相系統(tǒng)

          可選配電子直接成像相機(jī),滿足高速原位觀察

          穩(wěn)定可靠的5軸樣品臺(tái)低速或高速樣品臺(tái)

          樣品位置記憶追蹤功能

          優(yōu)秀的擴(kuò)展性

          FIB擴(kuò)展夾具、3D樣品桿(選件)

          圖片數(shù)據(jù)庫(kù)

          易于操作的Windows圖形操作界面

          項(xiàng)目

          主要參數(shù)

          電子槍

          LaB6電子槍

          加速電壓

          300kV、200kV*

          點(diǎn)分辨率

          0.18nm

          線分辨率

          0.10nm

          放大倍率

          低倍:200x - 500x

          觀察:1,000x – 1,500,000x

          選區(qū):4,000x – 500,000x

          照射系統(tǒng)

          透鏡:四級(jí)透鏡;光闌:4

          成像系統(tǒng)

          透鏡:五級(jí)透鏡;物鏡光闌:4孔;選區(qū)光闌:4

          樣品桿

          5軸雙傾樣品桿,α=β=±15°或更大


          應(yīng)用領(lǐng)域:
          H-9500作為一款真正意義上的原位環(huán)境透射電鏡,其主要應(yīng)用集中在原位環(huán)境觀察上,如各類(lèi)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的觀察,同種材料不同相態(tài)之間轉(zhuǎn)變過(guò)程的觀察,各類(lèi)納米器件工作原理的實(shí)時(shí)觀察等。因此,H-9500適用于催化劑、燃料電池、納米材料及環(huán)境安全、氣敏元器件、地球化學(xué)材料等多個(gè)領(lǐng)域。

           

          應(yīng)用文章:

          [1] Xie1, D. G., Wang1, Z. J., Sun1, J., Li1-3, J., Ma1-4, E., & Shan1, Z. W. In situ study of the initiation of hydrogen bubbles at the aluminium metal/oxide interface. Nature Materials, 2015, DOI: 10.1038/NMAT 4336.

          [2] Jiang1, Y., Wang1, Y., Zhang2, Y. Y., Zhang1, Z. F., Yuan1, W. T., Sun3, C. H., Wei1, X., Brodsky4, C. N., Tsung4, C. K., Li1, J. X., Zhang5, X. F., Mao6, S. X., Zhang2, S. B. & Zhang1, Z. Direct observation of Pt nanocrystal coalescence induced by electron-excitation-enhanced van der Waals interactions. Nano Research, 2014, 7(3), 308-314.

          [3] Peng, H. L., Chan, C. K., Meister, S., Zhang, X. F. & Cui, Y. Shape Evolution of Layer-Structured Bismuth Oxychloride Nanostructures via Low-Temperature Chemical Vapor Transport. Chem. Mater. 2009, 21, 247-252.

          [4] Vlier1, D. F., Wang1, C., Tripkovic1, D., Strmcnik1, D., Zhang2, X. F., Debe3, M. K., Atanasoski3, R. T., Markovic1, N. M. & Stamenkovic1, V. R. Mesostructured thin films as electrocatalysts with tunable composition and surface morphology. Nature Materials, 2012, 11, 1051-1058.

          [5] Huo, Z. Y., Tsung, C. K., Huang, W. Y., Zhang, X. F. & Yang, P. D. Sub-Two Nanometer Single Crystal Au Nanowires. Nano Lett., 2008, 8, 2041-2044.


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