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主要介紹ATOS電磁閥的功能與
ATOS電磁閥系統(tǒng)具有更加完善的控制智能，可以在程序控制下作為調(diào)節(jié)閥接收4-20mA的信號(hào)，調(diào)節(jié)閥門開度，也可以作為一個(gè)獨(dú)立的控制器或者變送器單獨(dú)工作，在作為控制器使用時(shí)，它接收4-20mA的模擬信號(hào)，或經(jīng)由RS-485接口發(fā)送的數(shù)字信號(hào)，或按照編制的程序進(jìn)行PID調(diào)節(jié)。
ATOS電磁閥系統(tǒng)可以采用數(shù)字通信的方法和主控制室相連接，主控制室送出的可尋址數(shù)字信號(hào)，通過電纜被智能調(diào)節(jié)閥所接收，主計(jì)算機(jī)可以對(duì)調(diào)節(jié)閥群進(jìn)行調(diào)節(jié)和管理，也可以用其他方法連接網(wǎng)絡(luò)，單獨(dú)連接或多閥門連接都可以。智能調(diào)節(jié)閥系統(tǒng)還能進(jìn)行遠(yuǎn)程監(jiān)測、整定，并修改參數(shù)或算法。
ATOS電磁閥診斷智能。在現(xiàn)場安裝智能調(diào)節(jié)閥系統(tǒng)，要比儀表控制室集中控制的方式更迅速、更準(zhǔn)確、更安全，因?yàn)榧锌刂葡到y(tǒng)對(duì)傳感器所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)測和處理的時(shí)間比較長，特別是對(duì)氣路傳輸系統(tǒng)，氣路很長則滯后嚴(yán)重，而現(xiàn)場用智能調(diào)節(jié)閥系統(tǒng)進(jìn)行診斷和控制是十分及時(shí)的。
ATOS電磁閥系統(tǒng)的保護(hù)智能體現(xiàn)在兩個(gè)方面：一方面要保護(hù)調(diào)節(jié)閥本身，一方面要保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)。智能調(diào)節(jié)閥的特點(diǎn)，就在于正確診斷后，進(jìn)行自身保護(hù)，例如，監(jiān)視電動(dòng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)的電源相序及信號(hào)輸入，確保電機(jī)正確轉(zhuǎn)動(dòng)；當(dāng)閥門卡住時(shí)，切斷電源，保護(hù)電機(jī)不會(huì)燒壞，并及時(shí)報(bào)警；當(dāng)閥門填料泄露，溫度、壓力、閥位等參數(shù)變化時(shí)，及時(shí)調(diào)整。
閥門被腐蝕是閥門失效的主要原因之一，腐蝕有幾種形式或者說原因造成的，大體上可以分為六種腐蝕形式。腐蝕是通過自然的浪費(fèi)的方式讓金屬到他們的礦石中。腐蝕的化學(xué)強(qiáng)調(diào)的基本腐蝕反應(yīng)M0M +電子，其中M0是金屬和m是正離子的金屬，只要金屬（M0）保留的電子，他就仍然是金屬。否則就會(huì)被腐蝕。物理力量有大多數(shù)時(shí)候物理作用和化學(xué)作用會(huì)一起讓閥門失效。有許多常見的品種的腐蝕，主要是相互重疊的。耐腐蝕的機(jī)制是由于在金屬表面上形成一個(gè)厚厚的保護(hù)性腐蝕膜。類型包括：
電腐蝕
當(dāng)兩個(gè)不同的金屬是在接觸和暴露于腐蝕性的液體和電解質(zhì)，形成原電池，電流使陽極件腐蝕增加電流。腐蝕通常是局部的接觸點(diǎn)附近。減少腐蝕可以通過電鍍異種金屬的方法實(shí)現(xiàn)。
ATOS電磁閥為了預(yù)測高溫氧化的影響，我們需要檢測這些數(shù)據(jù)：1）金屬組合物，2）氣氛組成，3）溫度，和4）曝光時(shí)間。但是，*的是，大多數(shù)輕金屬（那些比它們的氧化物更輕）形成一個(gè)非保護(hù)性的氧化物層，隨著時(shí)間的推移越來越厚，就會(huì)脫落。也有其他形式的高溫腐蝕包括硫化、滲碳等等。
ATOS電磁閥這種情況都是發(fā)生在縫隙中，縫隙阻礙了氧氣的擴(kuò)散，造成高和低的氧區(qū)域，形成溶液濃度的差異。特別是連接件或焊接接頭缺陷處可能出現(xiàn)狹窄的縫隙，其縫寬（一般在0.025~0.1mm）足以使電解質(zhì)溶液進(jìn)入，使縫內(nèi)金屬與縫外金屬構(gòu)成短路原電池，并且在縫內(nèi)發(fā)生的腐蝕的局部腐蝕。
點(diǎn)蝕
當(dāng)保護(hù)膜被破壞或腐蝕產(chǎn)物層分解，就是產(chǎn)生局部腐蝕或點(diǎn)蝕發(fā)生。膜破裂形成陽極和而未破裂的膜或腐蝕產(chǎn)物作為陰極，實(shí)際上已經(jīng)建立了一個(gè)封閉的電路。在氯離子存在下，一些不銹鋼易點(diǎn)蝕。腐蝕發(fā)生時(shí)，在金屬表面或粗糙部位，由于這些不為均勻性。
ATOS電磁閥腐蝕發(fā)生的原因有多種。結(jié)果幾乎是沿著金屬晶粒邊界相同，機(jī)械性質(zhì)的破壞。如果沒有適當(dāng)?shù)臒崽幚砘蚪佑|致敏800–1500°華氏溫度的奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕是受許多腐蝕劑（427–816°C）。這種情況可通過預(yù)退火和淬火消除2000°F（1093°C），采用低碳不銹鋼（c-0.03 max）或穩(wěn)定型鈮或鈦。
ATOS電磁閥從磨損斷裂的物理力，通過保護(hù)性腐蝕溶解金屬。效果主要取決于力和速度。過大的振動(dòng)或金屬彎曲也可以有類似的結(jié)果。氣蝕是腐蝕泵的一種常見形式，應(yīng)力腐蝕開裂 高拉伸應(yīng)力與腐蝕性氣氛都會(huì)造成金屬腐蝕。在靜載作用下金屬表面的拉伸應(yīng)力超過金屬的屈服點(diǎn)，腐蝕作用集中應(yīng)力作用的區(qū)域，結(jié)果顯示為一個(gè)局部腐蝕。在金屬交替腐蝕和建立高應(yīng)力集中的零部件，避免這種腐蝕可以通過早期的應(yīng)力消除退火，或者選用適當(dāng)?shù)暮辖鸩牧虾驮O(shè)計(jì)方案。腐蝕疲勞 我們通常會(huì)把靜態(tài)應(yīng)力與腐蝕。
1.ATOS電磁閥和全不銹鋼；對(duì)于強(qiáng)腐蝕的介質(zhì)必須選用隔離膜片式。例CD-F. Z3CF。中性介質(zhì)，也宜選用銅合金為閥殼材料的電磁閥，否則，閥殼中常有銹屑脫落，尤其是動(dòng)作不頻繁的場合。氨用閥則不能采用銅材。
2.ATOS電磁閥必須選用相應(yīng)防爆等產(chǎn)品，露天安裝或粉塵多場合應(yīng)選用防水，防塵品種。
3.ATOS電磁閥公稱壓力應(yīng)超過管內(nèi)工作壓力。
ATOS電磁閥適用性：不適用等于花錢買費(fèi)物，還要添麻煩
1.介質(zhì)特性
1.1質(zhì)氣，液態(tài)或混合狀態(tài)分別選用不同品種的電磁閥，例ZQDF用于空氣，ZQDF—Y用于液體，ZQDF—2(或-3)用于蒸汽，否則易引起誤動(dòng)作。ZDF系列多功能電磁閥則可通通于氣.液體。時(shí)告明介質(zhì)狀態(tài)，安裝用戶就不必再調(diào)式。
1.2介質(zhì)溫度不同規(guī)格產(chǎn)品，否則線圈會(huì)燒掉，密封件老化，嚴(yán)重影響壽命命。
1.3介質(zhì)粘度，通常在50cSt以下。若超過此值，通徑大于15mm用ZDF系列多功能電磁閥作特殊訂貨。通徑小于15mm訂高粘度電磁閥。
1.4介質(zhì)清潔度不高時(shí)都應(yīng)在電磁閥前配裝反沖過濾閥，壓力低時(shí)尚可選用直動(dòng)膜片式電磁閥作例如CD—P。
1.5介質(zhì)若是定向流通，且不允許倒流ZDF—N和ZQDF—N單需用雙向流通，請(qǐng)作特殊要求提出。
1.6介質(zhì)溫度應(yīng)選在電磁閥允許范圍之內(nèi)。
2.管道參數(shù)
2.1根據(jù)介質(zhì)流向要求及管道連接方式選擇閥門通口及型號(hào)。例如，用于一條管道向兩條管道切換的，小通徑的選CA5和Z3F，中等或大通徑請(qǐng)選ZDF—Z1/2。又如控制兩條管道匯流的，請(qǐng)選ZDF—Z2/1等。
2.2根據(jù)流量和閥門Kv值選定公稱通徑，也可選同管道內(nèi)徑。請(qǐng)注意有的未標(biāo)有Kv值，往往閥孔尺寸小于接口管徑，切不可貪圖價(jià)低而誤事。
2.3工作壓差
低工作壓差在0.04Mpa以上是可選用間接導(dǎo)式；低工作壓差接近或小于零的必須選用直動(dòng)式或分步直接式。
3.環(huán)境條件
3.1環(huán)境的溫度應(yīng)選在允許范圍之內(nèi)，如有超差需作特殊訂貨提出。
3.2環(huán)境中相對(duì)濕度高及有水滴雨淋等場合，應(yīng)選防水電磁閥。
3.3環(huán)境中經(jīng)常有振動(dòng)，顛簸和沖擊等場合應(yīng)選特殊品種，例如船用電磁閥。
3.4在有腐蝕性或性環(huán)境中的使用應(yīng)優(yōu)根據(jù)安全性要求選用耐發(fā)蝕。
