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          伯東企業(yè)(上海)有限公司

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          上海伯東代理美國(guó) KRI 霍爾離子源 eH 3000
          參考價(jià): 600000
          訂貨量: 1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 產(chǎn)品型號(hào)
          • 其他品牌 品牌
          • 代理商 廠商性質(zhì)
          • 上海市 所在地

          訪問(wèn)次數(shù):337更新時(shí)間:2023-04-04 16:38:42

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          產(chǎn)品簡(jiǎn)介
          上海伯東代理美國(guó)考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對(duì)比, eH 3000 是目前市場(chǎng)上高效, 提供高離子束流的離子源.
          尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6“
          放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
          產(chǎn)品介紹
          霍爾離子源 eH 3000

          KRI 霍爾離子源 eH 3000
          上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 3000 適合大型真空系統(tǒng), 與友廠大功率離子源對(duì)比, eH 3000 是目前市場(chǎng)上高效, 提供更高離子束流的離子源.
          尺寸: 直徑= 9.7“ 高= 6"
          放電電壓 / 電流: 50-300V / 20A
          操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

          KRI 霍爾離子源 eH 3000 特性
          • 水冷 - 加速冷卻
          • 可拆卸陽(yáng)極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí),大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽(yáng)極
          • 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
          • 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
          • 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

          KRI 霍爾離子源 eH 3000 技術(shù)參數(shù)

          型號(hào)

          eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE

          供電

          DC magnetic confinement

            - 電壓

          50-250V VDC

            - 離子源直徑

          ~ 7 cm

            - 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

          模塊化

          電源控制

          eHx-25020A

          配置

          -

           - 陰極中和器

          Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

           - 離子束發(fā)散角度

          > 45° (hwhm)

            - 陽(yáng)極

          標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

           - 水冷

          前板水冷

           - 底座

          移動(dòng)或快接法蘭

           - 高度

          4.0'

           - 直徑

          5.7'

           - 加工材料

          金屬
          電介質(zhì)
          半導(dǎo)體

           - 工藝氣體

          Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

           - 安裝距離

          16-45"

           - 自動(dòng)控制

          控制4種氣體

          * 可選: 可調(diào)角度的支架;

          KRI 霍爾離子源 eH 3000 應(yīng)用領(lǐng)域
          濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
          輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD
          表面改性, 激活 SM
          直接沉積 DD

          1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

          若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:

          上海伯東: 羅先生




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