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西安易恩電氣科技有限公司
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品 牌
廠商性質(zhì)生產(chǎn)商
所 在 地西安市
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更新時間：2018-06-01 10:58:12瀏覽次數(shù)：460次
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該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。
IGBT試驗臺系列
高溫阻斷試驗臺
阻斷（或反偏）耐久性試驗是在一定溫度下，對半導體 器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時間，從而對器件進 行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。
一般情況下，此項試驗是對器件在結(jié)溫（Tjm ℃）和規(guī)定的 交流阻斷電壓或反向偏置電壓的兩應力組合下，進行規(guī)定時間的 試驗，并根據(jù)抽樣理論和失效判定依據(jù)，確認是否通過， 同時獲 取相關(guān)試驗數(shù)據(jù)。
該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求?？晒┌雽w器件配以適當?shù)臏囟瓤煽匮b置， 作交流阻斷（或反偏）耐久性/ 篩選試驗。能滿足IGBT進行高溫反 偏耐久性試驗、高溫漏電流測試（HTIR）和老煉篩選。
系統(tǒng)組成
漏電流保護回路 試驗電壓保護回路
在每一試品試驗回路中都配置有0.1A的保險絲，當試品在試驗期內(nèi)發(fā) 生劣化或突然擊穿或轉(zhuǎn)折，保險絲將熔斷，設(shè)備面板上的相應工位的 氖燈點亮示警，同時蜂鳴器報警提示。
試驗電壓由衰減板衰減取樣后反饋到控制單元，通過峰保器輸出與電 壓設(shè)定值比較，當試驗電壓高于電壓保護設(shè)定值時，過壓報警器響， 同時保護繼電器動作切斷高壓輸出。
高壓回路
電特性參數(shù)測試回路 試驗電壓 試品漏電流
由電源開關(guān)、控制繼電器、自藕調(diào)壓器、高壓變壓器、波形變換電路 組成，產(chǎn)生規(guī)定的試驗電壓并通過組合高壓線排，接入試品工位。
由電壓取樣回路，經(jīng)采集、保持 電路送到設(shè)備的數(shù)字電壓表顯示；
對每一試品漏電流獨立采樣，通 過設(shè)備上的波段開關(guān)分別進行轉(zhuǎn) 換，傳送到數(shù)字電流表顯示。
技術(shù)指標
試驗電壓 VDRM.VRRM/VRRM 300V ~ 4000V 連續(xù)可調(diào)， 50HZ工頻 試驗電流 IDRM.IRRM/IRRM 1.0 mA ~200.0mA
試驗溫度
溫度范圍：室溫～150℃；溫度均勻性125℃±3℃； 溫度波動度±0.5℃
試驗工位 10工位 試驗容量 80×16=1280位
加電方式
器件試驗參數(shù)從器件庫中導入，ATTM自動加電試驗 方式，可單通道操作；老化電源可根據(jù)設(shè)定試驗電壓 和上電時間程控步進加載
高壓反偏試驗臺
技術(shù)指標
0.01mA～2mA 0.01mA~1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試條件： 反向電壓：直流50～5000V ±3%±10V.
器件在特定溫度下存儲一定時間后，先測試IR ，每只 器件依次進行測試，測試間隔時間為約1S。然后同時 測試BVR，依次采集電流。間隔時間為約100mS。
50V～5000V ±3%±10V。 測試條件： 反向電流：0.01mA～2mA；直流方波。 0.01mA~1mA±3%±0.01mA； 1mA～2mA±3%±0.1mA。
靜態(tài)參數(shù)測試 高壓反偏測試
測試 參數(shù) IR
測試 參數(shù) BVR
測試 方法
試驗電壓： 50～5000V ±3%±10V 器件漏電流測試范圍： 0.01mA～2mA 0.01mA～1mA±3%±0.01mA 1mA～2mA±3%±0.1mA 測試時間：計算機設(shè)定 測試方法： 器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電壓下對每只器件同 時持續(xù)加反壓進行測試，每隔1-2秒刷新一遍輸出的測試結(jié)果， 監(jiān)控各器件反壓下漏電流參數(shù)，并保存測試數(shù)據(jù)。
功能指標
-50 ºC～140ºC ±1 -50℃～RT ≤±2℃(空載時) ≤±3℃(空載時) 不小于1～3℃/min（空載時） 220V±10%,50Hz±1Hz，安全接地
試驗高低溫度范圍 高低溫箱溫控精度 溫度范圍 溫度波動 溫度均勻 升溫速率 供電電源
規(guī)格
尺 寸：1800×650×500（mm）
質(zhì) 量：175kg
測試工位：20工位
工位轉(zhuǎn)換：自動切換
耐溫范圍：-50ºC～140ºC
基礎(chǔ)規(guī)格 設(shè)備
高壓反偏試驗 1套 PC 機 1臺 控制軟件 1套 溫度箱 1臺
正向壽命試驗臺
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，
簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點，
但是由于其*工作在高電壓、大電流、高頻開關(guān)狀態(tài)等且運
行環(huán)境復雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎(chǔ)上正積極發(fā)展功率模塊壽命預測技術(shù)以提高變流器運行可靠性。
技術(shù)指標
測試參數(shù) VF
0.01～20V 0.01～10V±3%±0.01V 10～20V±3%±0.1V
測試條件 正向電流：1mA～60A 直流方波 脈寬 50uS-1mS 工位 20只
測試方法
器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設(shè)定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間 隔時間約100mS
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