6ES7 952-1KL00-0西門子內(nèi)存卡6ES7 952-1KL00-0AA0
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- 6ES7 153-2BA02-0 產(chǎn)品型號
- 西門子/SIEMENS 品牌
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- 上海市 所在地
訪問次數(shù):249更新時間:2018-03-07 15:15:29
SIEMENS上海朕鋅電氣設(shè)備有限公司
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西門子6ES7 153-2BA02-0XB0
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6ES7 153-2BA02-0XB0
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說明:
用 DIP 開關(guān)可將模擬輸入模塊調(diào)整到不同的測量方法。這些開關(guān)的設(shè)置應(yīng)用于整個模塊-同一模塊中在同一時間進(jìn)行測量不能有不同的測量范圍。開關(guān)配置只在電源接通時讀一次。所需測量范圍需要的開關(guān)設(shè)置在《SIMATIC S7-200 可編程控制器系統(tǒng)手冊》(條目號1109582)中的附錄 A 中給出。
輸入電阻級別取決于連接形式。在電壓測量中,輸入阻抗高達(dá) 10M 歐姆。如果測量電流時要求將輸入 Rx 和 x 橋接,輸入阻抗降為 250 歐姆。
注意事項:
為了避免共模電壓干擾,請注意條目號2415890中給出的信息。
下圖顯示了 S7-200 的模擬模塊上不同傳感器的連接樣例。
圖 1:4 線制電流信號測量
圖 2: 3 線制電流信號測量
問題描述:
當(dāng)高性能電容的時間(根據(jù) CPU 類型不同而不同)用完,或者電池模塊過期(200天),修改過的參數(shù)就會丟失。使用以下程序庫所提供的子程序,可以在 CPU 中的內(nèi)部 EEPROM 中保存完整的變量區(qū)域,在運行期內(nèi)該區(qū)域是不易失的(在系統(tǒng)手冊中僅說明了保存單個變量)。
軟件要求:
此操作程序庫使用需要 STEP 7 Micro/WIN V4.0 SP7 或者更高的版本 。
警告:
當(dāng) CPU 啟動時,包含 DB (數(shù)據(jù)塊)的存儲卡不可以被插入。如果包含 DB 的存儲卡被插入,CPU 會讀出存儲卡的內(nèi)容而不是去讀內(nèi)部 EEPROM,同時存儲數(shù)據(jù)被錯誤的寫回。
合并和使用庫:
- 將下載的文件“store_to_eeprom.zip”保存在電腦上。
- 在獨立的目錄下解壓文件“store_to_eeprom.zip”。
- 雙擊開始解壓的 STEP 7 Micro/WIN 庫 “store_to_eeprom.mwl”。
- 在 STEP 7-Micro/WIN 對話欄中打開確認(rèn)集成的庫。
增加的 “EEPROM (v1.0)”文件夾中包含了子程序“EEPROM_Direct"”和 “EEPROM_Indirect”。
圖:01
使用子程序:
- 在網(wǎng)絡(luò)中從文件夾“EEPROM (v1.0)”插入所需要的子程序。
- 根據(jù)例程中的參數(shù)列表給所選子程序分配輸入輸出參數(shù)。
使用適當(dāng)?shù)倪壿嬤B接,以確保在執(zhí)行期間程序執(zhí)行觸發(fā)輸入位“Start”保持為1 (高)。
更多的信息也可以在子程序的注釋中得到。.
注意:
不能以很高的頻率在 EEPROM 上保存數(shù)據(jù)。EEPROM 典型的存儲次數(shù)為100,000次。如果超過這個值,CPU 將發(fā)生故障。 如果按小時在 EEPROM 上保存數(shù)值,那么 EEPROM 的預(yù)計使用壽命是 11 到 12 年。
起始地址為直接尋址“EEPROM_direct"”例程:
圖: 02
參數(shù) | 變量類型 | 說明 |
EN | BOOL | 必須始終為1(高) |
Start | BOOL | 上升沿 (0 ->1)觸發(fā)程序運行;必須保持1 (高) 直到 BUSY 位變成 0 (低)。 |
V_Start | INT | 偏移量(起始地址)。例如,200=VB 200 |
Length | INT | 從偏移量(起始地址)開始待保存的字節(jié)數(shù) |
Memory | INT | 用于子程序的臨時存儲區(qū) |
Busy | BOOL | 過程狀態(tài) 1 (高),程序在運行中 |
Done | BOOL | 結(jié)束狀態(tài) 1 (高),成功完成保存 |
表: 01
起始地址為間接尋址“EEPROM_indirect”例程: