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6ES7 952-1KL00-0西門子內存卡6ES7 952-1KL00-0AA0
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上海西邑電氣技術有限公司
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西門子6ES7 193-4GA00-0AA0
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6ES7 193-4GA00-0AA0
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問題描述:
當高性能電容的時間(根據 CPU 類型不同而不同)用完，或者電池模塊過期(200天)，修改過的參數就會丟失。使用以下程序庫所提供的子程序，可以在 CPU 中的內部 EEPROM 中保存完整的變量區(qū)域，在運行期內該區(qū)域是不易失的(在系統(tǒng)手冊中僅說明了保存單個變量)。
軟件要求：
此操作程序庫使用需要 STEP 7 Micro/WIN V4.0 SP7 或者更高的版本 。
警告：
當 CPU 啟動時，包含 DB (數據塊)的存儲卡不可以被插入。如果包含 DB 的存儲卡被插入，CPU 會讀出存儲卡的內容而不是去讀內部 EEPROM，同時存儲數據被錯誤的寫回。
合并和使用庫：
- 將下載的文件“store_to_eeprom.zip”保存在電腦上。
- 在獨立的目錄下解壓文件“store_to_eeprom.zip”。
- 雙擊開始解壓的 STEP 7 Micro/WIN 庫 “store_to_eeprom.mwl”。
- 在 STEP 7-Micro/WIN 對話欄中打開確認集成的庫。
增加的 “EEPROM (v1.0)”文件夾中包含了子程序“EEPROM_Direct"”和 “EEPROM_Indirect”。
圖：01
使用子程序：
- 在網絡中從文件夾“EEPROM (v1.0)”插入所需要的子程序。
- 根據例程中的參數列表給所選子程序分配輸入輸出參數。
使用適當的邏輯連接，以確保在執(zhí)行期間程序執(zhí)行觸發(fā)輸入位“Start”保持為1 (高)。
更多的信息也可以在子程序的注釋中得到。.
注意：
不能以很高的頻率在 EEPROM 上保存數據。EEPROM 典型的存儲次數為100,000次。如果超過這個值，CPU 將發(fā)生故障。 如果按小時在 EEPROM 上保存數值，那么 EEPROM 的預計使用壽命是 11 到 12 年。
起始地址為直接尋址“EEPROM_direct"”例程：
圖： 02
| 參數 | 變量類型 | 說明 |
| EN | BOOL | 必須始終為1(高) |
| Start | BOOL | 上升沿 (0 ->1)觸發(fā)程序運行；必須保持1 (高) 直到 BUSY 位變成 0 (低)。 |
| V_Start | INT | 偏移量(起始地址)。例如，200=VB 200 |
| Length | INT | 從偏移量(起始地址)開始待保存的字節(jié)數 |
| Memory | INT | 用于子程序的臨時存儲區(qū) |
| Busy | BOOL | 過程狀態(tài) 1 (高)，程序在運行中 |
| Done | BOOL | 結束狀態(tài) 1 (高)，成功完成保存 |
表： 01
起始地址為間接尋址“EEPROM_indirect”例程：
說明:
當與第三方系統(tǒng)通訊時（例如通過 Modbus 協(xié)議時）， 由于在存儲器中不同的字節(jié)順序可能會導致通信的沖突。 S7-200 是以大尾形式存儲：數據中的高字節(jié)存儲在存儲區(qū)的低位地址。其它的存儲方式：
- 小尾：數據中的低字節(jié)存儲在存儲區(qū)的低位地址。
- 中尾：3-4-1-2 順序或 2-1-4-3 順序 (數字順序與所參考的大尾雙字中的字節(jié)順序相對應）
通過使用 "Endian" 庫將字和雙字轉換成為需要的字節(jié)順序
圖. 01
庫包含了以下程序塊 "Endian_B_DW", "Endian_D_DW" and "Endian_B_W"。
Endian_B_DW
圖. 02
"Endian_B_DW" 塊將 "IN" 端雙字的字節(jié)順序轉換成 "OUT" 端雙字的字節(jié)順序，此功能被用來將大尾形式存儲的雙字轉換成小尾形式存儲或相反。
圖. 03
圖. 03 顯示了雙字 VD0 = 16#1A2B3C4D 轉換成雙字 VD4 = 16#4D3C2B1A。雙整型數 439.041.101 與 16 進制數1A2B3C4D 和浮點數 3.541068*10^(-23) 是相*的。
Endian_W_DW
圖. 04
"Endian_W_DW" 塊將 "IN" 端 雙字中字的順序轉換成為 "OUT" 端雙字中字的順序。此功能將以大尾存儲的雙字轉換為中尾3-4-1-2存儲或相反。
圖. 05
圖. 05 顯示了雙字 VD0 = 16#1A2B3C4D 轉換成為雙字 VD8 = 16#3C4D1A2B。
Endian_B_W
