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當前位置：上海驟新電子科技有限公司>>公司動態(tài)>>關于鹽霧試驗標準
| 關於鹽霧實驗的標準 2005-10-20 | |
| 1＞溫度范圍：+30~+45℃ 相對濕度：≥95% 鹽霧沉降量： 1~2ml/80cm2·h 工作室尺寸：2個區(qū) 每區(qū)W×H×D = 380×580×230mm 2＞溫度范圍：+30~+50℃ 相對濕度：≥95% 鹽霧沉降量： 1~2ml/80cm2·h 工作室尺寸：2個區(qū) 每區(qū)W×H×D = 110×50×26mm 3＞溫度范圍：+30~+50℃ 相對濕度：≥95% 鹽霧沉降量： 1~2ml/80cm2·h 工作室尺寸：2個區(qū) 每區(qū)W×H×D = 55×40×10mm 1 GB/T 10125-1997 人造氣氛腐蝕試驗 鹽霧試驗 2 GB/T 10263.7-1988 輻射探測器環(huán)境試驗基本要求與方法 鹽霧試驗 3 GB/T 10587-1989 鹽霧試驗箱技術條件 4 GB/T 10593.2-1990 電工電子產(chǎn)品環(huán)境參數(shù)測量方法 鹽霧 5 GB/T 11606.13-1989 分析儀器環(huán)境試驗方法 鹽霧試驗 6 GB/T 12000-2003 塑料暴露于濕熱、水噴霧和鹽霧中影響的測定 7 GB/T 12085.4-1989 光學和光學儀器 環(huán)境試驗方法 鹽霧 8 GB/T 12967.3-1991 鋁及鋁合金陽極氧化 氧化膜的銅加速醋酸鹽霧試驗 （CASS試驗） 9 GB/T 1765-1979 測定耐濕熱、耐鹽霧、耐侯性 （人工加速） 的漆膜制備法 10 GB/T 1771-1991 色漆和清漆 耐中性鹽霧性能的測定 11 GB/T 18310.26-2003 纖維光學互連器件和無源器件-基本試驗和測量程序 第2-26部分：試驗-鹽霧 12 GB/T 18912-2002 光伏組件鹽霧腐蝕試驗 13 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ka: 鹽霧試驗方法 14 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗--試驗Kb:鹽霧, 交變（氯化鈉溶液） 15 GB/T 4797.6-1995 電工電子產(chǎn)品自然環(huán)境條件 塵、沙、鹽霧 16 GB/T 5170.8-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設備基本參數(shù)檢定方法 鹽霧試驗設備 |
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