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SRAM: XRAM Async Fast SRAM Serial SRAM Low Power SRAM

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XM6A系列-DDR3接口
X型隨機(jī)存儲器，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）技術(shù)而成的新型存儲器。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:58:50 對比
XM7A系列-166Mhz同步接口
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XM8A系列-10ns高速異步接口
X型隨機(jī)存儲器，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）技術(shù)而成的新型存儲器。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:56:05 對比
Renasas
?快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為快速異步型SRAM。這些存儲器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型應(yīng)用包括老式P...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:54:22 對比
Microchip
?Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。與傳統(tǒng)并行SRAM相比，這些串行器件具有...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:53:07 對比
IPSiLog
?Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。與傳統(tǒng)并行SRAM相比，這些串行器件具有...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:51:12 對比
Cypress
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:49:19 對比
Alliance
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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ISSI
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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Renesas
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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Lyontek
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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JSC
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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VTI
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
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Netsol
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:37:48 對比
EMI
low power sram主要是指低功耗SRAM存儲器，應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器（SRAM...
型號：所在地：參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2021/12/31 14:36:27 對比
國內(nèi)代理可替代Lyontek SRAM LY62L1024 LY621024
EM610FV16UFEATURESProcess Technology : 0.18?m Full CMOSOrganization : 64K x 16 b...
型號： EM610FV8S 所在地：上海市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/11 2:38:38 對比

Lyontek SRAM LY62L1024 LY621024
ISSI SRAM替代料號 8Mbit EM680FV8B 電子琴音響
中國總代理EMLSI 1Mbit-16Mbit sramEM680FV8BFEATURES? Process Technology : 0.15µm...
型號： EM680FV8B 所在地：上海市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/6 19:02:26 對比

電子琴音響 8Mbit SRAM ISSI
替代ISSI SRAM 1MBit 封裝32 STSOP1
EM610FV8SFEATURES? Process Technology : 0.15µm Full CMOS? Organization : 1...
型號： EM610FV8S 所在地：上海市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/2 13:02:56 對比

音響電子琴打印機(jī)一卡通
SRAM 2Mbit 金融POS機(jī)、電力集中器、一卡通
EM621FV16BFEATURESProcess Technology : 0.15µm Full CMOS Organization : 128...
型號： EM621FV16... 所在地：上海市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/12/2 2:29:58 對比

ISSI JSC EMLSI 通信標(biāo)簽
中國SRAM總代JSC替代ISSI/Lyontk/Cypress
EM681FV16B? Process Technology : 0.15µm Full CMOS? Organization : 512K x 1...
型號： EM681FV16... 所在地：上海市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2017/11/22 23:21:44 對比

SRAM 替代 ISSI Cypress 打印機(jī)

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