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存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)業(yè)從無到有 國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目破土（圖片來源網(wǎng)絡(luò)）
12月30日，總投資240億美元的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式開工建設(shè)。2020年全面建成后，年產(chǎn)值將超過100億美元，實(shí)現(xiàn)我國集成電路存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)?；l(fā)展“零”的突破。
國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年3月落地，經(jīng)過了近一年的籌備調(diào)整。該項(xiàng)目以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲(chǔ)器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測(cè)試、銷售于一體，建成后，還將帶動(dòng)設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展。
如果說2D閃存是建平房，3D NAND存儲(chǔ)就是蓋樓房，現(xiàn)在主流產(chǎn)品已經(jīng)“蓋”到48層，未來有可能到96層、128層，存儲(chǔ)容量大幅提升。存儲(chǔ)器是信息系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心芯片，能代表集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益和先進(jìn)制造工藝，同時(shí)也是我國進(jìn)口金額大的集成電路產(chǎn)品。
資料顯示，存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)是壟斷為嚴(yán)重的芯片細(xì)分市場(chǎng)，DRAM和NANDFLASH芯片市場(chǎng)長期被韓國美日壟斷，尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首，共占據(jù)了DRAM市場(chǎng)和NANDFLASH市場(chǎng)70%和50%的市場(chǎng)份額。中國于2013年發(fā)布了自主研發(fā)的55納米相變存儲(chǔ)芯片，成為繼美國和韓國后，第三個(gè)掌握相變存儲(chǔ)技術(shù)的國家。
紫光集團(tuán)董事長兼長江存儲(chǔ)公司董事長趙偉國表示：“集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，保障著國家信息安全，其中存儲(chǔ)器約占集成電路產(chǎn)業(yè)的25%。這個(gè)項(xiàng)目對(duì)中國科技事業(yè)的意義，不亞于‘遼寧號(hào)’航空母艦出海試航。”
據(jù)了解，基地由紫光集團(tuán)聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，主要研發(fā)生產(chǎn)以3D NAND技術(shù)為核心的存儲(chǔ)器芯片。該基地占地1968畝，分為三期建設(shè)，項(xiàng)目一期計(jì)劃2018年建成投產(chǎn)，月產(chǎn)晶圓硅片10萬片，相當(dāng)于8.5億顆芯片。2020年完成整個(gè)項(xiàng)目后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元，形成設(shè)計(jì)、測(cè)試、封裝、制造、應(yīng)用等上下游集群。
未來幾年，在武漢光谷東這片高科技公司云集的土地上，將建起3座單體潔凈面積大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓及其他配套設(shè)施。其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備，每平方米投資強(qiáng)度超過3萬美元。這是新中國成立以來湖北省大單體投資高科技產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目，也是我國集成電路產(chǎn)業(yè)有史以來大單體投資項(xiàng)目。
總體而言，芯片國產(chǎn)化是我國在信息安全自主可控政策的實(shí)踐領(lǐng)域之一，作為信息技術(shù)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體集成電路持續(xù)受到了國家政策的扶持。而存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著，國家存儲(chǔ)器基地的建立，標(biāo)志著芯片國產(chǎn)化之路邁出可靠而重要的一步。
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