中科院攻克石墨烯一大難關(guān)：二維變一維更適合造芯片

2022-01-11 09:18:35來源：快科技關(guān)鍵詞：石墨烯石墨烯材料閱讀量：20831

導(dǎo)讀：傳統(tǒng)認(rèn)識上，石墨烯呈現(xiàn)碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)。

　　石墨烯具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)特性，在材料學(xué)、微納加工、能源、生物醫(yī)學(xué)和藥物傳遞等方面具有重要的應(yīng)用前景，被認(rèn)為是一種未來革命性的材料。

　　傳統(tǒng)認(rèn)識上，石墨烯呈現(xiàn)碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)。

　　而日前，中科院發(fā)表論文顯示，該院已經(jīng)能夠制成準(zhǔn)一維的線性石墨烯，方便直接制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯納米帶陣列。相關(guān)研究成果發(fā)表在最National Science Review上。

　　石墨烯納米帶中存在由量子效應(yīng)引入的帶隙，使之具有獨特的電學(xué)性能，可以克服石墨烯本身半金屬特質(zhì)帶來的不便，更適用于集成電路的制造。

　　據(jù)了解，中科院化學(xué)研究所有機(jī)固體實驗室研究員于貴課題組和清華大學(xué)教授徐志平團(tuán)隊合作，通過調(diào)控化學(xué)氣相沉積過程中的生長參數(shù)，直接在液態(tài)金屬表面原位生長出大面積、高質(zhì)量的石墨烯納米帶陣列。

　　研究表明，將氫氣的流速控制在相對微量的狀態(tài)，同時以液態(tài)金屬作為催化基底，可以引入一種新型的梳狀刻蝕行為，從而調(diào)控石墨烯的生長。

　　實驗發(fā)現(xiàn)，利用梳狀刻蝕控制石墨烯的生長可以將傳統(tǒng)的薄膜生長轉(zhuǎn)化為準(zhǔn)一維的線性生長，從而直接制備高質(zhì)量、大面積的石墨烯納米帶陣列。

　　通過優(yōu)化生長條件，可以將石墨烯納米帶的寬度縮小至8納米，并且長度大于3微米。該工作為大面積、快速制備石墨烯納米帶的研究奠定了基礎(chǔ)。

　　(原標(biāo)題：中科院攻克石墨烯一大難關(guān)：二維變一維更適合造芯片)

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