手機(jī)續(xù)航2周 IBM三星開發(fā)VTFET芯片技術(shù)：性能提升200%

2021-12-13 11:38:04來源：快科技關(guān)鍵詞：芯片技術(shù)芯片制造閱讀量：25761

導(dǎo)讀：IBM、三星等公司上半年公布了全球首個2nm工藝芯片，現(xiàn)在雙方又在IEDM 2021會議上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直傳輸場效應(yīng)晶體管）技術(shù)。

　　目前半導(dǎo)體工藝已經(jīng)發(fā)展到了5nm，明年三星臺積電都在搶3nm工藝首發(fā)，之后還會有2nm工藝，再之后的1nm節(jié)點(diǎn)又是個分水嶺了，需要全新的半導(dǎo)體技術(shù)。

　　IBM、三星等公司上半年公布了全球首個2nm工藝芯片，現(xiàn)在雙方又在IEDM 2021會議上宣布了新的合作成果，推出了VTFET（垂直傳輸場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，它與傳統(tǒng)晶體管的電流水平方向傳輸不同，是垂直方向傳輸?shù)模型M(jìn)軍1nm及以下工藝。

　　根據(jù)IBM及三星的說法，VTFET技術(shù)有2個優(yōu)點(diǎn)，一個是可以繞過現(xiàn)在技術(shù)的諸多性能限制，進(jìn)一步擴(kuò)展摩爾定律，另一個就是性能大幅提升，采用VTFET技術(shù)的芯片速度可提升兩倍，或者降低85%的功耗。

　　這個技術(shù)要是量產(chǎn)了，那么芯片的能效比是大幅提升的，智能手機(jī)充電一次可使用兩周，不過三星及IBM依然沒有公布VTFET工藝的量產(chǎn)時間，所以還是要等——反正革命性的電池及革命性的芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個就能讓手機(jī)續(xù)航質(zhì)變。

　　(原標(biāo)題：手機(jī)續(xù)航2周 IBM三星開發(fā)VTFET芯片技術(shù)：性能提升200%)

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