三星提升QLC閃存性能：寫入可達(dá)320MB/s 重新超越機(jī)械硬盤

2021-11-23 09:11:12來源：快科技關(guān)鍵詞：閃存存儲設(shè)備閱讀量：22205

導(dǎo)讀：根據(jù)三星所說，新一代QLC閃存性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC閃存的，相比現(xiàn)在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

　　隨著閃存的發(fā)展，如今廉價、大容量的SSD幾乎都要上QLC閃存了，這讓消費者很不爽，因為QLC閃存不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有緩存加速的時候，性能甚至跑不過HDD機(jī)械硬盤。

　　QLC閃存性能差是先天性的，如果用光了緩存容量空間，現(xiàn)在的QLC閃存真實寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盤之前有人實測過，拷貝文件的速度也就160MB/s，這個速度甚至還不如一些HDD機(jī)械盤快。

　　三星也注意到這個問題了，未來也會重點關(guān)注QLC閃存的性能，目前他們使用的QLC閃存主要還是96層堆棧的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進(jìn)入176層的V6 QLC閃存時代。

　　根據(jù)三星所說，新一代QLC閃存性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC閃存的，相比現(xiàn)在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

　　不考慮緩存加速，320MB/s的原始寫入性能已經(jīng)相當(dāng)可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬盤，并且跟TLC閃存一較高下，相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計在明年上市。

　　(原標(biāo)題：三星提升QLC閃存性能：寫入可達(dá)320MB/s 重新超越機(jī)械硬盤)

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