新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術(shù)

2021-07-12 13:39:43來源：TechWeb 關(guān)鍵詞：GAA技術(shù)芯片制造技術(shù)閱讀量：23454

導(dǎo)讀：GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，從而可提高了性能并降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優(yōu)化機(jī)會。

　　7月12日消息，新思科技(Synopsys)近日宣布，其Fusion Design Platform已支持三星晶圓廠實現(xiàn)一款前沿高性能多子系統(tǒng)片上系統(tǒng)(SoC)一次性成功流片，驗證了下一代3納米(nm)環(huán)繞式柵極(GAA)工藝技術(shù)在功耗、性能和面積(PPA)方面的優(yōu)勢。此次流片成功是新思科技和三星之間廣泛合作的成果，旨在加快提供高度優(yōu)化的參考方法學(xué)，實現(xiàn)全新3D晶體管架構(gòu)所固有的較佳功耗和性能。

　　新思科技提供的參考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括業(yè)界高度集成的、基于金牌簽核引擎的RTL到GDSII設(shè)計流程，以及很受業(yè)界信賴的金牌簽核產(chǎn)品。采用三星新3nm GAA工藝的客戶，可在高性能計算(HPC)、5G、移動應(yīng)用和人工智能(AI)應(yīng)用領(lǐng)域，為下一代設(shè)計實現(xiàn)理想PPA目標(biāo)。

　　三星晶圓設(shè)計技術(shù)團(tuán)隊副總裁Sangyun Kim表示：“三星晶圓是推動下一階段行業(yè)創(chuàng)新的核心，我們基于工藝技術(shù)的持續(xù)演進(jìn)，來滿足專業(yè)和廣泛市場應(yīng)用日益增長的需求。我們?nèi)碌那把?納米GAA工藝得益于我們與新思科技的廣泛合作，F(xiàn)usion Design Platform讓我們加速實現(xiàn)3納米工藝的前景，這也充分彰顯了與行業(yè)探索者合作的重要性和優(yōu)勢。"

　　根據(jù)摩爾定律，晶體管尺寸要進(jìn)一步縮小，而GAA架構(gòu)為更高的晶體管密度提供了經(jīng)過流片驗證的途徑。GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，從而可提高了性能并降低了功耗，并帶來了基于納米片寬度這一工藝矢量的全新優(yōu)化機(jī)會。這種額外的自由度與成熟的電壓閾值調(diào)諧相結(jié)合，擴(kuò)大了優(yōu)化解決方案的空間，從而更精細(xì)化地控制總體目標(biāo)設(shè)計PPA指標(biāo)的實現(xiàn)。新思科技和三星開展密切合作，加速這一變革性技術(shù)的可用性并進(jìn)一步提高效能，從而在新思科技的Fusion Compiler和IC Compiler II中實現(xiàn)了全流程、高收斂度優(yōu)化。

　　不斷優(yōu)化的新思科技Fusion Design Platform為應(yīng)對來自前沿節(jié)點的各種挑戰(zhàn)提供了較佳的解決方案，這些挑戰(zhàn)包括復(fù)雜的庫單元擺放和布局規(guī)劃規(guī)則、新的布線規(guī)則和更加明顯的工藝變化。基于單一數(shù)據(jù)模型以及共享通用優(yōu)化架構(gòu)，F(xiàn)usion Design Platform平臺可確保單點技術(shù)更新也能夠幫助設(shè)計的優(yōu)化收斂、盡可能消除系統(tǒng)裕度，以實現(xiàn)更快的收斂周期。

　　新思科技數(shù)字設(shè)計事業(yè)部總經(jīng)理Shankar Krishnamoorthy表示：“GAA晶體管結(jié)構(gòu)是工藝技術(shù)進(jìn)步的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點，對于延續(xù)工藝進(jìn)步趨勢至關(guān)重要，為下一波超大規(guī)模創(chuàng)新提供保障。我們與三星晶圓的戰(zhàn)略合作，旨在共同提供前沿的技術(shù)和解決方案，確保工藝進(jìn)步趨勢的延續(xù)，為更廣泛的半導(dǎo)體行業(yè)帶來全新機(jī)會。"

　　(原標(biāo)題：新思科技與三星合作，加速推廣變革性3納米GAA技術(shù))

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