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          新一代EUV掩膜即將大批量供應(yīng) 有望大幅提升芯片產(chǎn)量與尺寸

          2021-04-02 09:29:23來(lái)源:cnBeta 關(guān)鍵詞:芯片芯片產(chǎn)業(yè)閱讀量:23751

          導(dǎo)讀:近年來(lái),阿斯麥(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻機(jī)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步,改善了光源性能、可用時(shí)間、以及生產(chǎn)力。
            早在2019年,代工廠就已經(jīng)開(kāi)始了有限度地將極紫外(EUV)光刻光刻技術(shù)應(yīng)用于大批量的芯片制造(HVM)。然而影響EUV工藝普及的主要因素之一,就是光掩模(Pellicles)材料的缺乏,結(jié)果限制了EUV工藝的產(chǎn)能擴(kuò)張。好消息是,近日有消息稱(chēng),這種情況終于得到了改善,且有望在未來(lái)幾年迎來(lái)進(jìn)一步的發(fā)展。
           
            近年來(lái),阿斯麥(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻機(jī)已經(jīng)取得了長(zhǎng)足進(jìn)步,改善了光源性能、可用時(shí)間、以及生產(chǎn)力。
           
            遺憾的是,EUV掩膜部分仍面臨量產(chǎn)前的巨大挑戰(zhàn)。且除了臺(tái)積電,三星半導(dǎo)體也被迫尋找在供應(yīng)缺乏下的EUV替代制造工藝。
           
            芯片制造中使用的掩膜材料(通常為6×6英寸),能夠?qū)⒖赡苈溆诨谋砻嫔系念w粒隔離開(kāi),從而對(duì)芯片生產(chǎn)線上的晶圓提供額外的保護(hù)。
           
            由于每套EUV標(biāo)線片就需動(dòng)用30萬(wàn)美元的成本,因此降低與收益率相關(guān)的風(fēng)險(xiǎn)也尤為重要。
           
            早在2019年,ASML就已經(jīng)突出了首款EVU掩膜,并將技術(shù)授權(quán)給了三井化學(xué)。后者計(jì)劃于2021年2季度開(kāi)始量產(chǎn)銷(xiāo)售,且ASML方面也未停止持續(xù)改進(jìn)。
           
            不過(guò)SemiconductorEngineering指出,迄今為止,只有ASML推出了在商業(yè)上切實(shí)可行的EUV掩膜(基于50nm厚度的多晶硅)。
           
            早在2016年,該公司就展示了在模擬的175W光源上實(shí)現(xiàn)的78%透射率,且當(dāng)前已在出售效率高達(dá)88%的新一代掩膜。相信不久后,三井化學(xué)就會(huì)大量供應(yīng)此類(lèi)掩膜。
           
            最后,AnandTech提到ASML已經(jīng)展示了透射率高達(dá)90.6%的原型。其不均勻性控制在了0.2%以?xún)?nèi),且能夠在400W光源下將反射率控制在0.005%以下。
           
            (原標(biāo)題:新一代EUV掩膜即將大批量供應(yīng) 有望大幅提升芯片產(chǎn)量與尺寸)
           
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            2025-04-15 11:01:24
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            2025-02-13 15:16:29
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            光通信芯片
            2025-02-10 10:53:08
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            2024-12-11 14:40:43
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            2024-11-29 17:13:27
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