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原子層沉積ALD在鈣鈦礦太陽(yáng)能電池方面的應(yīng)用2023/05/29: “碳達(dá)峰”和“碳中和”一直都是能源領(lǐng)域的熱點(diǎn)話題，作為助力“雙碳”戰(zhàn)略的生力軍，光伏產(chǎn)業(yè)具有舉足輕重的地位。目前光伏的主力是硅太陽(yáng)能電池，它們具有效率高、穩(wěn)定性好、產(chǎn)業(yè)鏈完備、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)勢(shì)。然而，晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率到達(dá)瓶頸，且從硅料到組件至少經(jīng)過4道工序，單位制程需要3天以上，同時(shí)還需要大量人力、運(yùn)輸成本等。為了讓太陽(yáng)能的利用更加便捷、高效且廉價(jià)，科學(xué)界和工業(yè)界正在研制新型太陽(yáng)能電池；鈣鈦礦太陽(yáng)能電池就是備受關(guān)注的新能源，鈣鈦礦疊層效率極限可達(dá)50%，而鈣鈦礦組件在單一工廠完成生產(chǎn)，原材料經(jīng)

Attolight CL-SEM系統(tǒng)在光電失效分析方面的應(yīng)用2022/08/18: 氮化鎵(GaN)是一種廣泛應(yīng)用于發(fā)光二極管(led)等光電器件的材料。LED結(jié)構(gòu)主要是通過外延生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上，但由于成本原因，硅成為藍(lán)寶石的代替者。然而，硅和氮化物之間巨大的不配合和熱膨脹系數(shù)的差異導(dǎo)致大量的位錯(cuò)和可能的裂紋。它們通常出現(xiàn)在生長(zhǎng)過程中的冷卻階段。由于裂紋和位錯(cuò)對(duì)LED應(yīng)用都是有害的，所以確定局部缺陷濃度和其他特征如摻雜和應(yīng)變是至關(guān)重要的。陰極發(fā)光(CL)技術(shù)是研究GaN性質(zhì)的一種快速和高度相關(guān)的方法。非輻射缺陷如位錯(cuò)的分布可以直觀地顯示出來。以下的能帶隙發(fā)射線的能量允許我們識(shí)

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