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          脈沖電子束沉積系統(tǒng)

          參考價面議
          具體成交價以合同協議為準
          • 公司名稱北京正通遠恒科技有限公司
          • 品       牌其他品牌
          • 型       號Pioneer180
          • 所  在  地北京市
          • 廠商性質代理商
          • 更新時間2024/4/23 14:47:35
          • 訪問次數639
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          北京正通遠恒科技有限公司成立于2001年,是一家經營歐美等國*科學測試儀器和設備,并將*進技術引入國內的科技服務型企業(yè)。目前,公司在北京、上海、廣州、深圳、合肥均設有辦事處。


          公司用受人尊敬的、專業(yè)的方式來經營公司的業(yè)務(HONOPROF comes from our philosophy---- doing business in an HONOurable and PROFessional way)。

          公司的主營儀器包括:分子相互作用分析儀器、機器視覺儀器、表/界面分析測試儀器、界面/混凝土流變儀、薄膜沉積與表征儀器等。


          公司愿景:公司愿意成為深刻了解客戶心理、全面滿足客戶需求,以應用為基礎的專業(yè)儀器設備供應商、專有技術提供商,實現公司在行業(yè)內的超常規(guī)發(fā)展。


          分子相互作用分析儀器,機器視覺儀器,表/界面分析測試儀器,界面/混凝土流變儀,薄膜沉積與表征儀器等
          脈沖電子束沉積系統(tǒng)是高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。對靶材的非平衡提?。疲┦沟入x子體的組成與靶材的化學計量組成*。在一定條件下,靶材的化學計量與沉積薄膜的保持*。所有的固態(tài)材料如金屬、半導體和絕緣體等都可以用PED 技術沉積各自的薄膜。
          脈沖電子束沉積系統(tǒng) 產品信息

          產品簡介

          脈沖電子束沉積(Pulsed Electron Deposition)系統(tǒng)能發(fā)射高能脈沖(100ns) 電子束( 約1000 A,15 keV) 在靶材上穿透將近1 um,使靶材快速蒸發(fā)形成等離子體。在靶材上的非平衡提?。疲┠苁沟入x子體的組成與靶材的化學計量組成一致。在最\佳條件下,靶材的化學計量與沉積薄膜可以保持一致。所有的固態(tài)材料如金屬、半導體和絕緣體等都可以用PED 技術沉積各自的薄膜。


          產品特點

          * 獨立的交鑰匙脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED
          * 外延薄膜沉積,多層異質結構(heterostructures)與超晶格
          * 氧化物薄膜沉積時氧氣兼容
          * 升級選項:離子輔助PED, 連續(xù)組份沉積PED, 進樣系統(tǒng)load-lock
          * 可附加的沉積源:脈沖激光與射頻/ 直流濺射
          * 集成XPS/ARPES UHV 集群系統(tǒng),原位高真空基片傳送系統(tǒng)


          脈沖電子束沉積系統(tǒng)PED沉積的代表性材料示例
          * 高溫超導(HTS) YBCO( 和GdBCO) 薄膜
          * 順電(Ba-SrTiO3) 薄膜
          * 金屬氧化物(SrRuO3) 薄膜
          * 隔熱/ 音玻璃(SiO2) 膜和Al2O3
          * 聚四氟乙烯(PTFE) 薄膜


          技術指標

          真空腔18" 直徑的球形腔體
          8"CF 窗口
          6.75"CF PED 源窗口
          3 個6"CF 窗
          額外的2.75" 與1.33"CF 窗口
          PED源電子槍能量:8-20 keV
          脈沖能量:大能量800 mJ
          小能量100 mJ
          工藝氣體壓強: 3-20 mTorr
          工藝氣體: 氧氣,氮氣,氬氣
          脈沖能量變化: ±10%
          脈沖寬度: 100 ns
          大重復率: 10Hz at 15kV,5Hz at 20kV
          小束截面: 8 x10-2 cm2
          大能量密度 :1.3 x 108 W/cm2
          Z 向對準范圍: 50 mm
          XY 向對準范偉: +/- 20 mm
          火花塞壽命 ~3x107 脈沖
          基片加熱器大直徑2",小10x10mm2
          大溫度:850 ℃
          基片旋轉:1-30 RPM(360° 旋轉)
          基片加熱器:兼容1 個大氣壓的氧壓
          加熱器溫度通過可編程的PID 控制
          多靶材旋轉臺6 個1" 的靶材或3 個2" 的靶材
          靶材旋轉:360° 連續(xù)旋轉(1-20 RPM)
          靶材柵格式掃描
          *的靶材柵格化燒蝕方案
          靶材索引,鍍多層薄膜
          靶材高度可調
          靶材擋板避免靶材間的交叉污染
          提供連續(xù)組成擴展/ 組合PED 的能力
          PED系統(tǒng)軟件Windows 7, LabVIEW 2013
          控制基片加熱臺
          控制靶材公轉臺
          控制真空泵
          控制質量流量計?
          外部的PED 源觸發(fā)器
          可選的工藝自動化選項
          真空泵干泵,渦輪分子泵
          本底真空壓強:標準配置8 x 10-8 Torr
          渦輪分子泵轉速由軟件控制
















































































































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