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          產(chǎn)品|公司|采購|資訊

          SKIIP1203GB172-2DW 1700V----1200A

          參考價(jià) 15800
          訂貨量 ≥1
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱北京北極新華科技有限公司
          • 品       牌
          • 型       號西門康智能
          • 所  在  地北京市
          • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
          • 更新時(shí)間2016/11/16 14:49:10
          • 訪問次數(shù)1098
          產(chǎn)品標(biāo)簽:

          SKIIP1203GB172-2DW

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          北京北極新華科技有限公司多年來致力于“誠信為本、真摯合作、顧客至上、熱忱服務(wù)"的宗旨,竭誠為國內(nèi)外廣大用戶及貿(mào)易企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)的貨源。是一家專業(yè)經(jīng)營電力電子器件、功率模塊及變頻器配件,成套銷售公司,公司的主要業(yè)務(wù)是代理銷售功率模塊、電力電子器件、變頻器備件、模塊式電源及電源模塊。公司經(jīng)營產(chǎn)品包括,器件部:經(jīng)銷西門子、英飛凌;EUPEC、西門康、富士、東芝、三社、三菱、三肯、日立、美國IR、IXYS、ABB,施耐德,丹佛斯,IGBT、IPM、PIM、GTR、可控硅、快恢復(fù)二極管、場效應(yīng)模塊、整流橋、二極管等功率模塊;IGTB、GTR驅(qū)動(dòng)模塊、可控硅觸發(fā)板、磁板,驅(qū)動(dòng)板,控制板,勵(lì)磁可控硅,功率板,電源板,勵(lì)磁模塊,電源板驅(qū)動(dòng)板,主板,熔斷器,保險(xiǎn)絲,制動(dòng)單元,電抗器,光耦;日立電解電容、美國CDE電解電容及無感電容、日本大功率制動(dòng)電阻、西門康SKIIP系列智能模塊,西門子電力器件,廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、新能源、鐵路機(jī)車、煤礦牽引等領(lǐng)域。


           

           

          變頻器配件,磁板,驅(qū)動(dòng)板,控制板,勵(lì)磁可控硅,熔斷器,保險(xiǎn)絲,快熔,快速熔斷器,避雷器,制動(dòng)單元,制動(dòng)電阻,電抗器,
          SKIIP1203GB172-2DW V3 1700V----1200A
          SKIIP1203GB172-2DW 1700V----1200A 產(chǎn)品信息

          IGBT管在使用過程中,經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,發(fā)生過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,可能導(dǎo)致IGBT管損壞。IGBT管在使用時(shí)的損壞原因主要有過電壓損壞和靜電損壞
            
            IGBT管在關(guān)斷時(shí),由于電路中存在電感成分,關(guān)斷瞬間將產(chǎn)生尖峰電壓。如果尖峰電壓超過IGBT管器件的zui高峰值電壓,將造成IGBT管擊穿損壞。IGBT管過電壓損壞可分為集電極一柵極過電壓、柵極一發(fā)射極過電壓、高du/dt過電壓等。

            大多數(shù)過電壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)都比較完善,但是對于由高du/dt所致的過電壓故障,在設(shè)計(jì)中基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)的吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠,會(huì)造成IGBT管損壞,對此可采用電壓鉗位,往往在集電極和柵極兩端并接齊納二極管(推薦使用美國Diodes公司的1.5KE××A產(chǎn)品系列),采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制方式。當(dāng)集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時(shí),超出的電壓將疊加在柵極上(米勒效應(yīng)起作用),避免了IGBT管因受集電極一發(fā)射極過電壓而損壞。

            采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決由于過高的du/dt帶來的集電極一發(fā)射極瞬間過電壓問題,但是它的弊端是:當(dāng)IGBT管處于感性負(fù)載運(yùn)行狀態(tài)時(shí),關(guān)斷的IGBT管由于其反并聯(lián)二極管(續(xù)流二極管)的恢復(fù),其集電極和發(fā)射極兩端的電壓急劇上升,承受很高的瞬間du/dt。在多數(shù)情況下該du/dt值要比IGBT管正常關(guān)斷時(shí)的集電極一發(fā)射極電壓上升率高。

            由于米勒電容(Cres)的存在,該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用,直接導(dǎo)致柵極一發(fā)射極電壓UGE升高,甚至超過IGBT管的開通門限電壓UGEth,出現(xiàn)的惡劣情況就是使IGBT管被誤觸發(fā)導(dǎo)通。1200V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
          SKIIP1213GB123-2DL V3   1200V----1200A
          SKIIP1813GB123-3DL V3   1200V----1800A
          SKIIP2413GB123-4DL V3   1200V----2400A
          SKIIP613GB123-3DUL V3   1200V----600A
           
          1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
          SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
          SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
          SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
          SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
          SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
          SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
           
          1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
          SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
          SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
          SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
          SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
          SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
          SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
          SKIIP513GB172-3DUL V3   1700V----500A
          SKIIP603GB172-3DUW V3   1700V----600A
           
          1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
          SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
          SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
          SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
          SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
          SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
          SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A

          關(guān)鍵詞:IGBT 無感電容
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