電容電壓特性測試儀 儀表

電容電壓特性測試儀 儀表

技　術　指　標 ：
測試信號頻率  1.000MHz±0.01%；
測試信號電壓 小于或等于100mVrms；
電容測量范圍 1.000pF～5000.0pF；
工作誤差 ±3.0%±2字；
直流偏壓 -35V～+35V（可擴展），由軟件按設定步進電壓值輸出偏置電壓；
軟件功能 由軟件控制電壓的掃描輸出，讀取不同電壓點的電容值并在電腦中繪出電容-電壓的變化曲線；軟件可記錄、保存、打印每一點的測試數(shù)據(jù)，也可把測試數(shù)據(jù)輸出到Excel中，對數(shù)據(jù)進行各種數(shù)據(jù)分析。
電腦通訊接口 USB通訊接口；
應用 應用于MOS摻雜和PN結摻雜的C-V特性測量，也可測試其它MIS電容等。MOS（金屬－氧化物－半導體）結構的電容是外加偏置電壓的函數(shù)，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C－V特性）。C-V曲線與半導體的導電類型及其摻雜濃度、SiO2-Si系統(tǒng)中的電荷密度有密切的關系。 利用實際測量到的MOS結構的C-V曲線與理想的MOS結構的C-V特性曲線比較，可求得氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度、氧化層中可動電荷面密度、和固定電荷面密度等參數(shù)
附送實驗樣品 P型MOS實驗樣品、N型MOS實驗樣品、PN摻雜實驗樣品
供電電源 交流電壓：220V±5%；
頻率： 50Hz±5%；
消耗功率：不大于40W；
工作環(huán)境 溫度：0—40℃；
濕度：20%~90%RH 40℃；