華科智源-浪涌電流測(cè)試儀設(shè)備是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流。

半導(dǎo)體器件在工作時(shí)，有時(shí)要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測(cè)器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個(gè)大的浪涌電流施加于被測(cè)器件上，從而檢測(cè)被測(cè)器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。

華科智源浪涌電流測(cè)試儀設(shè)備的測(cè)試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。浪涌電流試驗(yàn)臺(tái)，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：

1、該試驗(yàn)臺(tái)是一套大電流、高電壓的測(cè)試設(shè)備，對(duì)設(shè)備的電氣性能要求高。

2、該試驗(yàn)臺(tái)的測(cè)試控制采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

3、該試驗(yàn)臺(tái)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進(jìn)行處理。

4、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成：

   a、浪涌測(cè)試單元

   b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元

   c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)

二、技術(shù)條件

2.1 環(huán)境要求：

1、環(huán)境溫度：15—40℃

2、相對(duì)濕度：存放濕度不大于80%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、海拔高度：1000米以下

5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

6、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

7、電源功率：小于1.5KW

8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9

2.2主要技術(shù)指標(biāo)：

1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測(cè)試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等

2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%

  浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；

3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等

4、測(cè)試頻率：?jiǎn)未?；重?fù)

5、反向電壓（VRRM）測(cè)試范圍：200～2000V；

6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%；

7、反向電壓頻率：DC直流

8、各種模塊均手動(dòng)連接，并以單管形式測(cè)試。

9、采用計(jì)算機(jī)控制、采樣及顯示；