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性能優(yōu)勢
WhisperLok 系統(tǒng): 無需破壞主腔室真空，樣品交換時(shí)間小于1 分鐘。
低能聚焦潘寧離子槍:降低表面損傷，改善 EBSD 及 CL 等低能拋 光技術(shù)下的實(shí)驗(yàn)成果 。
能量從0.1 到 8.0 kV 可調(diào): 低能區(qū)減少非晶層，高能區(qū)大幅提高 制樣速度 。
液氮冷臺(tái)：消除熱效應(yīng)所產(chǎn)生的樣品損傷 。
10 英寸彩色觸摸屏控制: 通過圖形用戶界面 (GUI) ，快速簡便地 訪問所有的控制參數(shù) 。
數(shù)碼變焦顯微鏡:實(shí)時(shí)觀察拋光過程 。
DigitalMicrograph 軟件彩照存儲(chǔ): 能夠?qū)⒋鎯?chǔ)的光學(xué)圖像以相 同的格式與 SEM 數(shù)據(jù)一起使用。
技術(shù)規(guī)格
| Ilion II 系統(tǒng) | |||
| 離子源 | |||
| 離子槍 | 兩個(gè)配有稀土磁鐵的潘寧離子槍 | ||
| 拋光角度 (°) | +10 到-10°，每支離子槍可獨(dú)立調(diào)節(jié) | ||
| 離子束能量 (kV) | 0.1 – 8.0 | ||
| 離子束流密度(A/cm2) | 10 | ||
| 拋光速率 (µm/h) 8.0 kV 條件下 | 300（對于硅試樣） | ||
| 離子束直徑 | 可用氣體流量計(jì)或放電電壓來調(diào)節(jié) | ||
| 離子束直徑 | 可用氣流控制器或放電電壓來調(diào)節(jié)立調(diào)節(jié) | ||
| 樣品臺(tái) | 真空系統(tǒng) | ||
| 樣品大小(長 x 寬 x 高, mm) | 10 x 10 x 4 | ||
| 樣品裝載 | Ilion 的樣品擋板 | ||
| 轉(zhuǎn)速 (rpm) | 0.5 – 6.0 | ||
| 束流調(diào)制 | 角度范圍可調(diào)的單束調(diào)制或雙束調(diào)制， | ||
| 樣品觀察 | 或者不調(diào)制 | ||
| 真空系統(tǒng) | |||
| 干泵系統(tǒng) | 兩級(jí)隔膜泵支持 80 升/秒的渦輪分子泵 | ||
| 壓力 (torr) | |||
| 基本壓 | 5 x 10-6 | ||
| 工作壓 | 8 x 10-5 | ||
| 真空規(guī) | 冷陰極型，用于主樣品室；固體型，用前級(jí)機(jī)械泵 | ||
| 樣品氣鎖 | WhisperLok技術(shù)，樣品交換時(shí)間小于1 分鐘 | ||
| 用戶界面 | |||
| 10 英寸彩色觸摸屏 | 操作簡單，且能夠控制所有參數(shù)和配方式操作 | ||
| 尺寸及使用要求 | |||
| 外形尺寸 (L x W x H, mm) | 575 x 495 x 615 | ||
| 運(yùn)輸重量(kg) | 45 | ||
| 功耗 (W) | |||
| 運(yùn)行中 | 200 | ||
| 待機(jī)中 | 100 | ||
| 電源要求 | 通用 100 – 240 VAC，50/60 Hz（用戶電壓和頻率） | ||
| 氬氣(psi) | 25 | ||
