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產(chǎn)品特點(diǎn)（*為選配件）
低電壓
碳材料樣品，低電壓下，穿透深度較小，可以獲取樣品表面真實(shí)形貌，細(xì)節(jié)更豐富。
毛發(fā)樣品，在低電壓下，電子束輻照損傷減小，同時(shí)消除了荷電效應(yīng)。
低真空
過濾纖維管材料，導(dǎo)電性差，在高真空下荷電明顯，在低真空下，無(wú)需鍍膜即可實(shí)現(xiàn)對(duì)不導(dǎo)電樣品的直接觀察。
大視場(chǎng)
生物樣品，采用大視場(chǎng)觀察，能夠輕松獲得瓢蟲整體形貌及頭部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，展現(xiàn)跨尺度分析。
導(dǎo)航&防碰撞
特色功能
豐富拓展性：
掃描電子顯微鏡不僅局限于表面形貌的觀察，更可以進(jìn)行樣品表面的微區(qū)成分分析。
SEM3200接口豐富，除支持常規(guī)的二次電子探測(cè)器（ETD）、背散射電子探測(cè)器（BSED）、X射線能譜儀（EDS）外，也預(yù)留了諸多接口，如電子背散射衍射（EBSD）、陰極射線（CL）等探測(cè)器都可以在SEM3200上進(jìn)行集成。
背散射電子探測(cè)器
二次電子成像和背散射電子成像對(duì)比
背散射電子成像模式下，荷電效應(yīng)明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
應(yīng)用案例：
產(chǎn)品參數(shù)：
| 型號(hào) | SEM3200A | SEM3200 | ||
|---|---|---|---|---|
| 電子光學(xué)系統(tǒng) | 電子槍類型 | 預(yù)對(duì)中型發(fā)叉式鎢燈絲電子槍（燈絲電流3檔可調(diào)，可顯示燈絲更換時(shí)間） | ||
| 分辨率 | 高真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | ||
| 4 nm @ 30 kV（BSE） | ||||
| 8 nm @ 3 kV（SE） | ||||
| *低真空 | 3 nm @ 30 kV（SE） | |||
| 放大倍率 | 1-300,000x（底片倍率） | |||
| 1-1000,000x（屏幕倍率） | ||||
| 加速電壓 | 0.2 kV～30 kV | |||
| 探針電流 | ≥1.2μA，可實(shí)時(shí)顯示 | |||
| 成像系統(tǒng) | 探測(cè)器 | 二次電子探測(cè)器（ETD） | ||
| *背散射電子探測(cè)器、*低真空二次電子探測(cè)器、*能譜儀EDS等 | ||||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |||
| 真空系統(tǒng) | 真空模式 | 高真空 | 優(yōu)于5×10-4 Pa | |
| *低真空 | 5～1000 Pa | |||
| 控制方式 | 全自動(dòng)控制 | |||
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學(xué)導(dǎo)航 | ||
| 樣品倉(cāng)內(nèi)監(jiān)控 | ||||
| 樣品臺(tái)配置 | 三軸自動(dòng) | *五軸自動(dòng) | ||
| 行程 | X: 120 mm | X: 120 mm | ||
| Y: 115 mm | Y: 115 mm | |||
| Z: 50 mm | Z: 50 mm | |||
| / | R: 360° | |||
| / | T: -10°～ +90° | |||
| 能譜儀 | 能譜儀探測(cè)器 | 分析型SDD硅漂移電制冷探測(cè)器，有效面積≥30 mm2，晶體面積≥50 mm2，高分子超薄窗設(shè)計(jì)，無(wú)需液氮冷卻，僅消耗電能 | ||
| 能譜儀能量分辨率 | Mn Ka保證優(yōu)于129eV | |||
| 元素分析范圍 | B5～Cf98 | |||
| 軟件 | 語(yǔ)言 | 中文 | ||
| 操作系統(tǒng) | Windows | |||
| 導(dǎo)航 | 光學(xué)導(dǎo)航、手勢(shì)快捷導(dǎo)航、可自動(dòng)疊加電鏡圖片 | |||
| 自動(dòng)功能 | 自動(dòng)亮度對(duì)比度、自動(dòng)聚焦、自動(dòng)像散 | |||
| 特色功能 | 智能輔助消像散、*大圖拼接（選配軟件） | |||
| 安裝要求 | 房間 | 長(zhǎng) ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm | ||
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |||
| 濕度 | ≤ 50 % | |||
| 電氣參數(shù) | 電源AC 220 V(±10 %)，50 Hz，2 kVA | |||
