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          Prisma & Prisma EX多功能環(huán)境真空鎢燈絲分析掃描電子顯微鏡

          參考價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱圓派科學(xué)儀器(上海)有限公司
          • 品       牌
          • 型       號(hào)
          • 所  在  地
          • 廠商性質(zhì)
          • 更新時(shí)間2023/5/31 20:44:58
          • 訪問次數(shù)258
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          進(jìn)口顯微鏡,硬度計(jì),探傷儀,粉碎機(jī),球磨機(jī),試驗(yàn)機(jī)等
          憑借過去 60 年的技術(shù)創(chuàng)新歷史和業(yè)內(nèi), FEI 成為了透射電子顯微鏡 (TEM)、 掃描電子顯微鏡 (SEM)、整合了 SEM 與聚焦離子束 (FIB) 的 DualBeam™ 儀器和 用于精密高速切割與加工的專用聚焦離子束儀器的性能標(biāo)準(zhǔn)。 FEI 成像系統(tǒng)在三維 表征、分析和修改/原型設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了亞埃(埃:十分之一納米)級(jí)分辨率。
          Prisma & Prisma EX多功能環(huán)境真空鎢燈絲分析掃描電子顯微鏡 產(chǎn)品信息

          Prisma & Prisma EX多功能環(huán)境真空鎢燈絲分析掃描電子顯微鏡

          • 一款真正多用途實(shí)驗(yàn)室用性能全面、易操作的SEM鎢燈絲掃描電子顯微鏡
          • 具有的ESEM™環(huán)境真空模式
          • 高真空、低真空和ESEM™環(huán)境真空三種真空模式,適合分析泛的樣品,樣品范圍包括導(dǎo)電材料、不導(dǎo)電材料、脫氣、未鍍膜或其他不適用真空的樣品。
          • 一系列集成的實(shí)時(shí)分析軟件來完成動(dòng)態(tài)的實(shí)驗(yàn)檢測(cè)分析。
          • 低真空和ESEM環(huán)境真空能夠滿足非導(dǎo)電材料和含稅樣品的檢測(cè)分析
          • 原位功能使即使是絕緣的或高溫的樣品也能獲得可靠的分析結(jié)果。
          • 支持掃描前的預(yù)設(shè)置,具有導(dǎo)航和SmartScanTM功能的相機(jī)提高了工作效率、數(shù)據(jù)質(zhì)量和滿足更高要求的使用要求。
          • -165°C to 1400°C溫度范圍下的原位分析
          • 加速電壓: 200 V - 30 kV
          • 電子放大倍數(shù): 6x – 1,000,000x (可同時(shí)采集和顯示四幅圖像)
          • 探測(cè)器:高真空模式Everhart-Thomley二次電子探測(cè)器(E-T SED);低真空SE探測(cè)器(LVD);ESEM環(huán)境真空模式氣體二次電子探測(cè)器(GESD);樣品室紅外CCD相機(jī)
          • 真空系統(tǒng):1個(gè)250L/s渦輪分子泵,1個(gè)旋轉(zhuǎn)機(jī)械泵;的“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng);排氣時(shí)間≤3.5min到高真空,≤4.5min到ESEM真空/低真空;可選CryoCleaner冷阱;可選升級(jí)到無油滾動(dòng)/干式PVPs
          • 樣品室:

          o 內(nèi)徑 340 mm

          o 分析工作距離 10 mm

          o 12個(gè)附件接口

          o EDS采集角: 35°

          • 分辨率:

          高真空模式

          • 3.0 nm @ 30 kV (SE)
          • 4.0 nm @ 30 kV (BSE)*
          • 8.0 nm @ 3 kV (SE)

          高真空下減速模式

          • 7.0 nm @ 3 kV

          低真空模式

          • 3.0 nm @ 30 kV (SE)
          • 4.0 nm @ 30 kV (BSE)
          • 10 nm @ 3 kV (SE)
          • ESEM環(huán)境真空
            • 3.0 nm @ 30 kV (SE)

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