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          IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

          參考價(jià) 1
          訂貨量 ≥1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
          • 品       牌其他品牌
          • 型       號(hào)HUSTEC-160
          • 所  在  地深圳市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2023/5/15 12:14:35
          • 訪問次數(shù)438
          產(chǎn)品標(biāo)簽:

          IGBT測(cè)試儀MOS管IGBT

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             深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競爭優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
              華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
              深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

          首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
          品牌: 華科智源
          名稱: IGBT測(cè)試儀
          型號(hào): HUSTEC-1600A-MT
          用途: 廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行
          IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

          品牌: 華科智源

           名稱: IGBT測(cè)試儀

           型號(hào): HUSTEC-1600A-MT

           用途: 廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì),封裝測(cè)試,軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)等行


          華科智源HUSTEC-1600A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試,測(cè)試1200A(可擴(kuò)展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通,電動(dòng)汽車 ,風(fēng)力發(fā)電,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電,軌道交通,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè),測(cè)試方便,測(cè)試過程簡單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;


          測(cè)試參數(shù):


          ICES  集電極-發(fā)射極漏電流


          IGESF 正向柵極漏電流


          IGESR 反向柵極漏電流


          BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓


          VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓


          VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓


          ICON 通態(tài)電極電流


          VGEON 通態(tài)柵極電壓


          VF 二極管正向?qū)▔航?/span>


          整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用




          1) 物理規(guī)格 


          設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm; 


          質(zhì)量:30kg


          2) 環(huán)境要求 


          海拔高度:海拔不超過 1000m;


          儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃; 


          工作環(huán)境:15℃~40℃。


          相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH ;


          大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。 


          防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害;


          3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%; 


          電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz


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