多晶硅、單晶硅微波、紅外復(fù)合專(zhuān)用烘干生產(chǎn)線

一、 工藝設(shè)備要求

1.1物料特性：

干燥物料名稱(chēng)：多晶硅料。

物料形狀：1mm-8mm、8mm-50mm、50mm-150mm 三種規(guī)格，不規(guī)則形狀。

含水率：硅料表面水分，小顆粒的為經(jīng)過(guò)甩干后的水分。

1.2干燥原理及控制點(diǎn)

采用干燥原理：連續(xù)式，微波溫控干燥。

微波精度控制：≤1％。

溫度控制點(diǎn)：多點(diǎn)控溫，烘干過(guò)程中硅料溫度≤120℃。

傳動(dòng)系統(tǒng)：PTFE特氟龍高溫布，可變頻調(diào)速。

輸送帶回程清理：帶自動(dòng)電動(dòng)毛刷清掃裝置。

微波泄漏量：≤2mW/cm²，測(cè)量方法按GB 5959.6-2008中規(guī)定執(zhí)行。

1.3 生產(chǎn)能力

設(shè)計(jì)生產(chǎn)能力250KG/h，24h連續(xù)流水式作業(yè)，烘干后需加冷卻降溫到40℃。

設(shè)備配置與功能

設(shè)計(jì)總功率120kw，微波功率90kw，紅外功率90kw，循環(huán)冷卻水流量約14m3/h，排風(fēng)量3600m3/h。

設(shè)備長(zhǎng)16.75m，寬1.4m，高2.2m。

操作柜與微波電源柜同側(cè)布置，操作柜靠近上料端，從操作臺(tái)處面對(duì)設(shè)備，設(shè)備為右進(jìn)左出。

設(shè)備主體：

設(shè)備主體由布料系統(tǒng)、微波抑制器（首尾各一個(gè)）、微波腔體、微波發(fā)生器、傳送裝置、排濕冷卻系統(tǒng)、下料冷卻系統(tǒng)組成。

設(shè)備機(jī)架整體采用304不銹鋼材料制作，微波腔體采用316L不銹鋼。

微波腔體長(zhǎng)9m、寬1.5m、高0.48m。

布料系統(tǒng)：

采用料倉(cāng)加直線篩給料裝置結(jié)合，料倉(cāng)容積0.15立方。料倉(cāng)內(nèi)壁等與硅料接觸的部分，使用高純PU材質(zhì)內(nèi)襯，出口處PU內(nèi)襯需突出殼體30mm以上，防止物料污染。

設(shè)備廠家提供合理的上料方式，上料高度與地面距離不超過(guò)1100mm，料斗高度根據(jù)系統(tǒng)合理設(shè)計(jì)，布料系統(tǒng)采用下圖所示方式：

內(nèi)蒙古多晶硅生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)