CTLD-100M型

LiF:Mg,Ti敏化熱釋光探測(cè)器

LiF:Mg,Ti敏化熱釋光探測(cè)器探測(cè)器具有衰退小、精確度高、量程范圍寬、組織等效性和能量響應(yīng)好等特點(diǎn)，可測(cè) Ｘ、γ、β 等射線，在核工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生系統(tǒng)、地質(zhì)找礦和石油勘探等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

主要?jiǎng)┝繉W(xué)持性

1、發(fā)光曲線：LiF;Mg,Ti探測(cè)器在300℃以下具有3個(gè)發(fā)光峰，一般將第3個(gè)峰作為劑量測(cè)定峰，峰值溫度為210℃左右。

2、衰退：≤5.6%/年（在常溫下儲(chǔ)存）；

3、靈敏度：LiF:Mg,Cu,P的靈敏度(單位質(zhì)量TL讀數(shù))為TLD-100的4-6倍；

4、均 勻 性: ≤±5%（和探測(cè)器的分散性有關(guān)）

5、線性范圍：10^-4～500Gy；

6、重復(fù)性：LiF:Mg,Ti探測(cè)器的重復(fù)性符合國標(biāo)(GBl0264—88)要求，其重復(fù)使用性能隨使用次數(shù)的增加趨于更加穩(wěn)定，一般均在上百次以上；

7、長期穩(wěn)定性：在環(huán)境溫度低于40℃的環(huán)境下，累積劑量信息的衰退在3-6個(gè)月內(nèi)可以忽賂不計(jì)，若環(huán)境溫度≥50℃時(shí)，則其劑量信息的衰退約為（3-5）％/月。

8、能量響應(yīng)：1.30（對(duì)30keV Ｘ射線與⁶⁰Co γ射線的響應(yīng)比）；

9、光照效應(yīng)：對(duì)于室內(nèi)散射日光、白熾燈光、日光燈無明顯響應(yīng)，對(duì)于直射陽光照射則有明顯響應(yīng)。

使用條件

探測(cè)器可采用熱風(fēng)加熱式讀出器測(cè)量，也可采用直接電加熱式(電阻帶式加熱盤)讀出器測(cè)量；

退火：400℃,l小時(shí)、迅速冷卻后100℃，2小時(shí)退火；

測(cè)量：對(duì)于直接電加熱式讀出器，其測(cè)量條件加熱方式、參數(shù)等因素有關(guān)，直接電加熱式讀出器測(cè)量參數(shù)見下表。

直接電加熱式讀出器測(cè)量參數(shù)

表中參數(shù)僅供參考，建議用戶根據(jù)具體情況確定，其確定原則是使劑量測(cè)定峰落在測(cè)量周期(測(cè)量上升和恒溫時(shí)間)內(nèi)，而測(cè)量周期要盡可能的短。

表中時(shí)間參數(shù)為上升、恒溫時(shí)間。

使用注意事項(xiàng)

1、探測(cè)器要存放在環(huán)境溫度、干燥（干燥瓶）的環(huán)境條件下保存，避免陽光直射、有機(jī)氣氛的影響；

2、探測(cè)器退火時(shí)要嚴(yán)格控制退火條件，如有條件應(yīng)采用專用探測(cè)器退火冷卻爐，以保證探測(cè)器的性能；

3、采用直接電加熱式讀出器測(cè)量時(shí)，可在玻管探測(cè)器加熱盤兩端開兩個(gè)孔，以保證探測(cè)器和加熱盤有良好的熱接觸。

4、退火時(shí)，應(yīng)在溫度達(dá)到設(shè)置的溫度后，再將裝有探測(cè)器的托盤放入退火爐中，放入托盤后爐溫會(huì)略有下降，當(dāng)其溫度達(dá)到設(shè)置的溫度時(shí)開始計(jì)時(shí)；

5、探測(cè)器從爐中取出后，要放在冷卻冷卻板上冷卻（在濕度比較大時(shí)，冷卻時(shí)間不宜過長，以防受潮，一般控制在10幾秒）；

6、測(cè)量后應(yīng)將探測(cè)器放在金屬盒里或金屬板上；

7、要用清潔的鑷子輕取探測(cè)器，切勿用手接觸探測(cè)器，以免沾污。對(duì)污染的片狀探測(cè)器(用手觸摸、掉在地板或桌面上)剔除，切勿用酒精棉球擦洗再用，清洗后可在以后探測(cè)器篩選時(shí)使用；

8、探測(cè)器要用清潔、光滑、不起毛紙包裝；

9、放置探測(cè)器的器具要保持清潔，要用清潔的鑷子輕取探測(cè)器，切勿用手接觸探測(cè)器；

10、探測(cè)器在照射后和經(jīng)過熱處理后放在專用的熱釋光探測(cè)器低本底鉛室或其它低本底鉛室中保存。

11、CTLD-600和700型熱釋光探測(cè)器如果外觀、規(guī)格一致，切勿放亂，以免混在一起。