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          用于自由空間耦合THZ發(fā)射器和探測器

          參考價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱卓知科儀(北京)技術有限公司
          • 品       牌
          • 型       號
          • 所  在  地
          • 廠商性質(zhì)其他
          • 更新時間2022/10/23 15:49:11
          • 訪問次數(shù)158
          產(chǎn)品標簽:

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          卓知科儀(北京)技術有限公司,創(chuàng)立于2003年,始終致力于高質(zhì)量科研產(chǎn)品的推廣工作,在超快時間分辨光譜及成像、飛秒激光器及飛秒微納加工等超快領域擁有專業(yè)、全套的解決設備及方案。公司在北京總部設有光電實驗室和售后服務中心,2018年正式對外免費開放。 主要代理科研產(chǎn)品:一體化飛秒激光器及納秒激光器、皮秒激光器、超連續(xù)白光光源、科研級芯片、科研級深度制冷CCD、sCMOS、ICCD、EMCCD、深度制冷近紅外相機、高性能光譜儀及瞬態(tài)吸收、熒光上轉換、TCSPC光譜系統(tǒng)、太赫茲時域光譜系統(tǒng)、一體化紫外可見近紅外分光光度計、三級聯(lián)顯微拉曼光譜系統(tǒng)、便攜式拉曼光譜儀等,產(chǎn)品線還在不斷的更新完善。 目前設有北京總部,杭州辦事處,長春辦事處和深圳辦事處。專業(yè)的銷售隊伍、強大的技術支持、優(yōu)質(zhì)的科研儀器,使卓知科儀成為全國各大科研院所和高等院校信賴的科研儀器代理單位。
          THZ發(fā)射極和THZ探測器由一個在砷化鎵基片上制作的微帶光電導天線(PCA)組成。根據(jù)泵浦激光波長,低溫生長的砷化鎵(lt-gaas)或Gabias用作光電導體。表面采用普通金屬化工藝形成共面赫茲偶極天線結構。光電導天線的幾何結構,以及光電導外延層的特性都經(jīng)過了優(yōu)化,以獲得的THZ輻射輸出效率,同時保持的帶寬。因此,當輸出功率為30 mW且脈沖持續(xù)時間小于150 fs時,典型的THZ輻射功......
          用于自由空間耦合THZ發(fā)射器和探測器 產(chǎn)品信息

          【概述】

          由高密度硅制成,安裝在X-Y級。Teravil提供兩種標準類型的透鏡:用于準直或發(fā)散THZ光束輸出。在第二種情況下,PCA被放置在硅透鏡的再生點,這可以減少THZ光束的球面像差。

          THZ發(fā)射器或探測器由面板側的激光束照亮。激光束必須聚焦在兩個電極之間(圖1)。金屬觸點之間的間隙類似于探測器外殼中的激光光斑直徑,而發(fā)射器外殼中的激光光斑直徑更大。THZ輻射由集成透鏡收集。

          調(diào)整螺釘用于將硅透鏡定位到PCA中心。外殼背面的SMA插座用于將直流或交流偏壓連接到THZ發(fā)射器,并將鎖

          定放大器輸入連接到THZ檢測器。三個M6孔中的任何一個可用于安裝在光學臺上的THZ發(fā)射器。

          1.jpg

          【特征】

          • 基于LT-GaAs或GaBiAs光電導材料

          • 針對800 nm或1060 nm左右的波長進行了優(yōu)化

          • 光譜范圍廣,噪音低

          • 亞皮秒時間分辨率

          • 隨附技術護照和測試報告

          【應用領域】

          • 時間分辨寬帶太赫茲光譜

          • 光學泵浦-THz探針光譜

          • 太赫茲成像


          模型

          發(fā)射器

          探測器


          EMT-08

          EMT-10

          DET-08

          DET-10


          光電導天線

          光導材料

          LT-GaAs

          GaBiAs

          LT-GaAs

          GaBiAs

          晶圓的尺寸

          5 × 1.5 mm

          厚度

          600 µm

          天線類型

          帶狀線

          偶級

          偏壓

          50 V, 典型值40 V

          ±12 V

          中心太赫茲頻率

          ~0.5 THz

          0.5 THz

          檢測到太赫茲帶寬

          up to 5 THz

          集成聚焦鏡頭

          材料

          HRFZ-silicon

          幾何形式

          超半球

          太赫茲光束輸出

          準直或發(fā)散

          X-Y 可調(diào)節(jié)平臺范圍

          ±3 mm

          泵浦光束參數(shù)

          激發(fā)波長

          800±40 nm

          1060±40 nm

          800±40 nm

          1060±40 nm

          平均功率

          <50 mW

          <20 mW

          <50 mW

          <20 mW

          脈沖持續(xù)時間

          <150 fs

          脈沖重復頻率

          20-100 MHz

          光束輪廓

          接近高斯

          光束直徑

          ~2 mm


          描述

          模型

          注釋

          用于800nm波長太赫茲發(fā)射器

          EMT-8

          包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

          用于800nm波長的太赫茲探測器

          DET-8

          I包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

          用于1060nm波長太赫茲發(fā)射器

          EMT-10

          包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

          用于1060nm波長的太赫茲探測器

          EMT-10

          包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

          太赫茲發(fā)射器/探測器安裝平臺

          MNT

          包括XYZ平臺上的泵浦光束聚焦鏡頭

          TMS-100M偏置電源

          TMS-100

          30 - 70 V DC或方波輸出


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