LVEM5臺(tái)式透射電鏡特點(diǎn)：

臺(tái)式設(shè)計(jì)：體積小巧，靈活性高，價(jià)格低

傳統(tǒng)透射電子顯微鏡體積龐大，對(duì)放置環(huán)境有著嚴(yán)格的要求，并且需要制冷機(jī)等外置設(shè)備。通常會(huì)占據(jù)整間實(shí)驗(yàn)室。

Delong America公司的LVEM5從根本上區(qū)別于傳統(tǒng)電鏡，尺寸較傳統(tǒng)電鏡縮小了90%，對(duì)放置環(huán)境無嚴(yán)格要求，無需任何外置冷卻設(shè)備，可以安裝用戶所需的任意實(shí)驗(yàn)室或辦公室桌面，是目前的電子顯微鏡。

Schottky場(chǎng)發(fā)射電子槍：高亮度/高對(duì)比度

電子槍類型是決定電鏡性能的重要參數(shù)。LVEM5采用特殊設(shè)計(jì)的倒置肖特基（Schottky）場(chǎng)發(fā)射電子槍，提供高亮度高相干的電子束。電子槍使用壽命可達(dá)2000小時(shí)以上。

傳統(tǒng)TEM多采用100kV以上電子束加速電壓，高能電子束不能區(qū)分輕材料中相近的密度和原子序數(shù)，對(duì)于輕元素樣品（C、N、O樣品，生物樣品）難以獲得好的對(duì)比度，影響圖像質(zhì)量。

LVEM5采用5kV低電壓設(shè)計(jì)，低電壓電子束對(duì)密度和原子序數(shù)有很高的靈敏度，對(duì)于小到0.005 g/cm³的密度差別仍能得到很好的圖像對(duì)比度。例如，對(duì)20nm碳膜樣品，5KV電壓下比100KV電壓下對(duì)比度提高10倍以上，而LVEM5的空間分辨率在低電壓下仍能達(dá)到1.5nm。

操作簡(jiǎn)單，換樣快捷，成本低廉

LVEM5直觀的用戶界面、簡(jiǎn)便的控制臺(tái)設(shè)計(jì)，使用戶僅需極少的培訓(xùn)，即可輕松操作。讓用戶在使用時(shí)更加舒適。

不同于傳統(tǒng)透射電鏡每次更換樣品后需要幾十分鐘的抽真空時(shí)間，LVEM5更換樣品僅需3min，節(jié)省大量時(shí)間。

LVEM5購(gòu)置費(fèi)用遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)電鏡，且在一款儀器中集成了透射電鏡與掃描電鏡功能，真正的物超所值。LVEM5的設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)，在使用中無需冷卻水，無需專業(yè)實(shí)驗(yàn)室，維持成本極低。

四種成像模式

TEM模式

LVEM5是世界上的臺(tái)式透射電子顯微鏡，同時(shí)也是的低電壓透射電鏡（5kV）。同傳統(tǒng)透射電鏡（80-200kV）相比，LVEM5增加了電子束與樣品的相互作用，從而：

? 提高了圖像對(duì)比度

? 無需重金屬染色即可觀察輕元素樣品（如生物樣品）

? 避免染色造成的假象，觀察樣品真實(shí)結(jié)構(gòu)

分辨率2nm，放大倍數(shù) 5000-202,000x，圖像采集：2048 x 2048

添加TEM升級(jí)選件，分辨率提升至1.5nm，放大倍數(shù) 50萬倍

SEM模式

掃描電鏡（SEM）模式可用于觀察任意固體樣品。在SEM模式下，LVEM5采用4分割背散射探測(cè)器，提供多個(gè)觀測(cè)角度。

普通掃描電鏡在觀察不導(dǎo)電樣品時(shí)，需要對(duì)樣品進(jìn)行噴金、噴碳處理，以增加樣品導(dǎo)電性。LVEM5的另一優(yōu)點(diǎn)在于，無需噴金可直接觀測(cè)不導(dǎo)電樣品。

分辨率10nm，放大倍數(shù) 640x - 100,000x，圖像采集像素：2048 x 2048

STEM模式

在掃描透射電子顯微鏡（STEM）模式下，電子束被聚焦到很小直徑，在樣品上進(jìn)行掃描?？捎糜谟^察厚度較厚的樣品或染色樣品。

ED模式

電子衍射（ED）可用于確定樣品的晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶度、相組成。