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  208HR高分辨離子濺射儀為場發(fā)射掃描電鏡應用中遇到的各種樣品噴鍍難題提供真正的解決方案。

  場發(fā)射掃描電鏡觀察時，樣品需鍍上極其薄、無細晶且均勻的膜層以消除電荷積累，并提高低密度材料的對比度。為了將細晶的尺寸減小到最小程度，208HR提供了一系列的鍍膜材料，并對膜厚和濺射條件提供無可媲美的控制。

  208HR分子渦輪泵高真空系統(tǒng)提供寬范圍的操作壓力，可以對膜層的均勻性和一致性進行精確控制，并減小充電效應。高/低樣品室的結構設計使靶材和樣品之間的距離調節(jié)變得極為方便。

  MTM-20高分辨膜厚控制儀分辨率小于0.1nm，其作用是對所鍍薄膜的厚度進行精確控制，它尤其適合場發(fā)射電鏡對膜厚（0.5－3nm）的要求。

   

  場發(fā)射掃描電鏡鍍膜推薦的靶材是：

  • Pt/Pd：非導電樣品鍍膜的通用鍍膜材料

  • Cr：優(yōu)良的半導體樣品的鍍膜材料

  • Ir：優(yōu)良的真正無細晶的鍍膜材料

  208HR系統(tǒng)為得到高分辨鍍膜效果提供了多種配置選擇，可配備標準的旋片泵或提供干凈真空的無油渦旋式真空泵，標配的208HR包含Cr 和 Pt/Pd靶。

  一、主要特性

  ·         可選擇多種鍍膜材料

  ·         精確的膜厚控制

  ·         樣品臺控制靈活：可對樣品臺進行獨立的旋轉、行星式轉動、傾斜控制，保證形貌差異大的樣品也能得到的鍍膜效果。

  ·         多個樣品座：提供4個樣品座，每個樣品座直徑32mm，可裝載多達6個小樣品座。

  ·         樣品室?guī)缀慰勺儯?/strong> 樣品室?guī)缀斡糜谡{節(jié)鍍膜的速率（1.0nm/s ～ 0.002nm/s）

  ·         寬范圍的操作壓力：獨立的功率和壓力調節(jié)，氬氣的壓力大小范圍為0.2 - 0.005 mbar。

  ·         緊湊、現(xiàn)代的桌上型設計

  ·         操作容易

  二、技術參數(shù)

  濺射系統(tǒng)
  鍍膜頭	低電壓平面磁控管 靶材更換快速 環(huán)繞暗區(qū)護罩 靶材調節(jié)遮擋
  靶材	Cr, Pt/Pd   (標配)   Ta, Au, Au/Pd, Pt, W, Ir , Ti（選配）
  鍍膜控制	微處理器控制 安全互鎖 電流控制與真空度無關 數(shù)字化可選電流（20，40，60 和 80mA）
  樣品室大小	直徑150mm   高度165 - 250mm
  樣品臺	非重復的旋轉、行星式轉動，并可手動傾斜0-90°   轉動速度可調   晶體頭   4個樣品臺
  模擬計量	真空 Atm - .001mb   電流 0-100mA
  控制方法	自動氣體凈化和泄氣功能 自動處理排序 帶有“暫?！惫δ艿臄?shù)字計時器 自動放氣
  膜厚控制	MTM-20高分辨膜厚控制儀
  真空系統(tǒng)
  結構	分子渦輪牽引泵和旋葉泵組合， 代替旋葉泵的無油渦旋式真空泵（選配）
  抽真空速度	0.1mb 下300 l/min
  抽真空時間	1 mbar  至 1 x 10-3mbar
  極限真空	1 x 10-5mbar
  桌上型系統(tǒng)	旋葉泵置于抗震臺上，全金屬真空耦合系統(tǒng)
  膜厚測控儀
  MTM-20	基于微處理器，4位數(shù)字顯示，復位按鈕， 6MHz晶體（具有壽命檢查功能），5次/s的更新速率
  膜厚范圍	0.0 - 999.9nm
  分辨率	優(yōu)于 0.1nm
  密度范圍	0.50 - 30.00gm/cm3
  修正系數(shù)范圍	0.25 - 8.00
  鍍膜終止范圍	膜厚0 - 999.9nm
  系統(tǒng)要求
  電氣	100-120 或 200-240VAC, 50/60Hz
  功率	550VA（）
  氬氣	最小純度99.995%   調節(jié)壓力 5 - 6   psi (0.4 bar) 6.0mm ID連接軟管