一、系統(tǒng)描述

TFT300A大功率LED熱阻測試系統(tǒng)塬理符合 MIL-STD-750和JEDEC JESD51-1熱阻測試標準 定義的動態(tài)及靜態(tài)測試方法）運用實時采樣靜態(tài)測試方法（Static Method），廣泛用于測試各類 IC（包括二極管、三極管、MOSFET、IGBT、SOC、SIP、MEMS 等）、大功率LED、導(dǎo)熱材料、散熱器、熱管等的熱阻、熱容及導(dǎo)熱系數(shù)、積分及微分熱結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線、接觸熱阻等熱特性。

二、測試功能介紹

1、IC：可以得到用不同占空比方波測試時的阻抗與熱阻值；

2、二極管：穩(wěn)態(tài)熱阻(Thermal Resistance)；

3、三極管：包括：Rja,Rjb,Rjc,Rjl,   當(dāng)器件在給一定的工作電流后。熱量不斷向外擴散，達到了熱平衡，得到的結(jié)果是穩(wěn)態(tài)熱阻值。在沒有達到熱平衡之前測試到的是熱阻抗；

4、MOSFET：從開始加熱到結(jié)溫達到穩(wěn)定這一過程中的瞬態(tài)阻抗數(shù)據(jù)；

5、IGBT：瞬態(tài)阻抗(ThermalImpedance)；

6、線形調(diào)壓器：裝片質(zhì)量的分析；

7、大功率LED：熱阻、參考熱阻、結(jié)溫、光功率、光譜、顏色、正向電壓、正向電流 升溫曲線、降溫曲線、K系數(shù)、I-V特性曲線、結(jié)壓-時間、結(jié)溫-時間曲線、瞬態(tài)熱阻曲線、積分及微分熱結(jié)構(gòu)函數(shù)曲線、精確解析LED的分層熱阻結(jié)構(gòu)。

三、系統(tǒng)配置介紹

1、采樣單元

l  功率：2A/10V；

l  測試延遲時間（啟動時間）：1us；

l  采樣率：1us；

l  測試通道數(shù)：2（ 8個）；

l  熱電偶測量精度（T型）：典型±0.1℃，大±0.3℃ ；

l  結(jié)溫測量精度：典型±0.1℃；

2、電學(xué)單元

l  加熱電壓測量精度：±0.1%；

l  加熱電流測量精度：±0.2%；

l  結(jié)溫測量精度：典型±0.1℃；

l  器件的大供電電壓：50V；

l  器件的大供電電流：2V；

3、光學(xué)單元

l  光譜波長范圍：380nm～780nm；

l  光功率范圍：0.05mW-1000.0mW；

l  熱阻可測量范圍：0℃/W～250℃/W；

l  溫度控制裝置范圍：5℃～90℃，穩(wěn)定度±0.2℃；

四、測試塬理

根據(jù)IEDEC靜態(tài)測量塬理，改變器件輸入功率，使器件溫度發(fā)生變化，在達到熱平衡之前，TFT300A以1uS的高速采樣率實時記錄溫度隨著時間變化的瞬態(tài)響應(yīng)曲線；在得到溫度響應(yīng)后，根據(jù)R_thiA=T / P 計算穩(wěn)態(tài)熱阻；將上述瞬態(tài)響應(yīng)轉(zhuǎn)換為結(jié)構(gòu)函數(shù)形式，方便用戶分析器件熱流傳導(dǎo)路徑上的各層結(jié)構(gòu)。系統(tǒng)未采用“脈沖方法”。因為“脈沖方法”采用延時測量技術(shù)，限制了測量精度，且“脈沖方法”在測量瞬態(tài)溫度響應(yīng)市應(yīng)非實時記錄數(shù)據(jù)。而是通過人為構(gòu)建脈沖加熱功率來模擬瞬態(tài)過程，測試結(jié)果的精確性無法保證。

五、參考測試標準

EIA/JESD 51-1~14 IntegratedCircuits Thermal Measurement Method

MIL-STD-750D Test Method forsemiconductor Device

SJ 20788-2000 半導(dǎo)體二極管熱阻測試方法

GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電流第二部分：整流二極管