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          產(chǎn)品|公司|采購|資訊

          集成電路、場效應(yīng)管

          參考價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱深圳瑞兆來科技有限公司
          • 品       牌英飛凌/Infineon
          • 型       號IRFP260MPB
          • 所  在  地深圳市
          • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
          • 更新時間2022/6/21 15:29:36
          • 訪問次數(shù)556
          產(chǎn)品標簽:

          場效應(yīng)管

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          深圳瑞兆來科技有限公司代理分銷原裝:ST、 IR、NXP、TI、ON、TOSHIBA、 VISHAY、SHARP、EVERLIGHT億光(代理)、等品牌電子元件。 主營原裝:三端穩(wěn)壓管、可控硅、場效應(yīng)管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、電源IC、穩(wěn)壓管、家電IC、音響功放、肖特基、快恢復(fù)管、二三極管等電子元件。 廣泛應(yīng)用于:電動自行車、摩托車點火器、電子鎮(zhèn)流器、負離子直發(fā)器、豆?jié){機、攪拌機、電風(fēng)扇、電磁爐、電吹風(fēng)、電飯鍋、熱水壺、加濕器、遙控器、LED燈、圣誕燈、節(jié)能燈、應(yīng)急燈、UPS電源、空調(diào)、冰箱、充電器……

          主營范圍: 深圳瑞兆來科技有限公司本著忠誠客戶、誠信待人的宗旨,以滿足客戶需求并超越為目標。一直以現(xiàn)貨、龐大的庫存和優(yōu)惠價格為保障。香港、深圳分別設(shè)有公司,代為客戶在香港、大陸兩地交貨,為客戶提供更多的便利。 公司代理分銷DIP SMD、二極管、三極管、穩(wěn)壓管系列、場效應(yīng)管、單雙向可控硅、達林頓管、三端穩(wěn)壓管、光電耦合器、觸發(fā)二極管、大功率三極管(對管)、IC集成電路等電子元器件。 公司發(fā)展 以來,得到新老客戶的大力支持與關(guān)懷,從公司內(nèi)部管理,產(chǎn)品質(zhì)量控制保證,售前售后服務(wù)系統(tǒng)得到全面的完善提高,更好的確保了我們滿足新老客戶的需求。 我們將繼往開來,以更大的信心為您提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和滿意的服務(wù),竭誠希望新老客戶的和社會各界朋友惠顧,鼎立支持,攜手共進,謝謝!



          電子元器件,二三極管,芯片IC,ST品牌單片機
          封裝 TO-247 晶體管類型 場效應(yīng)晶體管
          批號 20+
          IR MOSFET系列功率MOSFET采用經(jīng)驗證的硅工藝,為設(shè)計師提供了廣泛的設(shè)備組合,以支持各種應(yīng)用,如直流電機、逆變器、開關(guān)電源、照明、負載開關(guān)以及電池供電應(yīng)用。該設(shè)備有多種表面貼裝和通孔封裝,具有行業(yè)標準的封裝外形,便于設(shè)計。
          集成電路、場效應(yīng)管 產(chǎn)品信息

          TO-247 M系列封裝中的200V單N溝道功率MOSFET


          特征描述


          寬SOA的平面單元結(jié)構(gòu)

          針對分銷合作伙伴提供的廣泛的可用性進行了優(yōu)化

          根據(jù)JEDEC標準進行產(chǎn)品鑒定

          硅優(yōu)化用于低于100kHz的切換應(yīng)用

          行業(yè)標準通孔電源組件

          高電流額定值


          優(yōu)勢


          增強耐用性

          分發(fā)合作伙伴的廣泛可用性

          行業(yè)標準資質(zhì)等級

          低頻應(yīng)用中的高性能

          標準插腳允許插入式更換

          高載流能力



          型號:

          IRFP260MPBF

          封裝:

          TO-247

          類別:

          分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管- FETMOSFET -單個

          制造商:

          Infineon Technologies

          系列:

          HEXFET®

          FET類型:

          N通道

          漏源電壓(Vdss):

          200 V

          25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)

          50ATc

          驅(qū)動電壓(Rds On):

          10V

          不同IdVgs時導(dǎo)通電阻值):

          40毫歐@ 28A,10V

          不同IdVgs(th)

          4V @ 250µA

          不同Vgs時柵極電荷 (Qg)

          234 nC @ 10 V

          Vgs

          ±20V

          不同Vds時輸入電容(Ciss)

          4057 pF @ 25 V

          功率耗散:

          300WTc

          工作溫度:

          -55°C ~ 175°CTJ

          安裝類型:

          通孔


          關(guān)鍵詞:晶體管
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