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          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

          參考價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
          • 品       牌
          • 型       號(hào)PMST-3000V
          • 所  在  地武漢市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2022/2/22 13:20:35
          • 訪問次數(shù)487
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          武漢普賽斯儀表有限公司坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士學(xué)歷為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。
           
              普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、集成插卡式源表、窄脈沖電流源、高精度高壓電源等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

           

          源表,數(shù)字源表,脈沖源表,源測(cè)單元,SMU,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,脈沖LIV,激光脈沖電流源,插卡式多通道源表
          單臺(tái)PW 高達(dá)12V/1000A,可多臺(tái)并聯(lián) CW 高達(dá)3000V/100mA
          最小分辨率 30uV/10pA
          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA
          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀 產(chǎn)品信息

          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測(cè)單元等測(cè)試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所、實(shí)驗(yàn)室,新能源,光伏,風(fēng)電,軌交,變頻器等場(chǎng)景。

          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀簡(jiǎn)介

          功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級(jí)電阻,p*電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。

           

          產(chǎn)品特點(diǎn)

          • 高電壓:支持高達(dá)3KV高電壓測(cè)試;

          • 大電流:支持高達(dá)4KA大電流測(cè)試;

          • 高精度:支持uΩ級(jí)電阻、pA級(jí)電流、uV級(jí)精準(zhǔn)測(cè)量;

          • 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶快速配置測(cè)試參數(shù);

          • 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能;

          • 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;

          • 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù);

          • 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度;

          • 可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測(cè)試場(chǎng)景定制化開發(fā);

             

            技術(shù)指標(biāo)

          大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀應(yīng)用


               功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



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