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          IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備

          參考價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱西安誼邦電子科技有限公司
          • 品       牌
          • 型       號ENX-2020
          • 所  在  地西安市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2020/10/27 10:36:55
          • 訪問次數(shù)631
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          聯(lián)系我們時(shí)請說明是 智能制造網(wǎng) 上看到的信息,謝謝!

          西安誼邦電子科技有限公司為國家*產(chǎn)業(yè)園、西安市重點(diǎn)支持的*。主要從事半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售等業(yè)務(wù)。公司主要技術(shù)人員均來半導(dǎo)體技術(shù)研究所,擁有豐富的專業(yè)技術(shù)知識和多年的測試產(chǎn)品研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。 公司引進(jìn)美國*半導(dǎo)體測試技術(shù),在此基礎(chǔ)上研制生產(chǎn)了系列半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng),該測試系統(tǒng)擁有功率大、速度快、精度高、測試種類全等技術(shù)特點(diǎn),各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到*水平。 誼邦電子研發(fā)技術(shù)涉及集成電路測試、半導(dǎo)體分立器件測試等領(lǐng)域。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車、飛機(jī)、船舶制造、能源等行業(yè)領(lǐng)域。 科技創(chuàng)新、服務(wù)無限,是我們工作的宗旨。

          主營范圍:1.IGBT測試系統(tǒng) 2.半導(dǎo)體分立器件測試儀 3.高速大功率半導(dǎo)體分立器件測試系統(tǒng) 4.分立功率器件測試儀 5.可控硅整流器測試(儀) 6.MOS 場效應(yīng)管測試(儀) 7.三端穩(wěn)壓器測試(儀) 8.絕緣柵雙*功率晶體管IGBT測試(儀) 9.光電耦合器測試(儀) 11.繼電器測試(儀)

           

          分立器件測試,圖示儀,大功率IGBT測試儀,雪崩測試儀
          ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
          IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備 產(chǎn)品信息

                   IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備是本公司研發(fā)設(shè)計(jì)的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

               ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng),該設(shè)備包括:可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口(根據(jù)客戶需求)等多個(gè)部分。

            IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試設(shè)備技術(shù)指標(biāo)

          配置

          測試范圍

          測試參數(shù)

          條件

          范圍

          電壓

          1000V

          IGBTs

          絕緣柵雙極型晶體管

          EAS/單脈沖雪崩能量

          VCE

          20V-4500V

          20-100V±3%±1V

          100-1000V±3%±5V

          1000-4500V±3%±10V

          電流

          200A

          MOSFETs

          MOS場效應(yīng)管

          EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量

          Ic

          1mA-200A

          1mA-100mA±3%±0.1mA

          100mA-2A±3%±5mA

          2A-200A±3%±50mA

           

          DIODEs

          二極管

          IAS/單脈沖雪崩電流

          Ea

          1J-2000J

          1J-100J±3%±1J

          100J-500J±3%±5J

          500J-2000J±3%±10J

           

           

          PAS/單脈沖雪崩功率

          IC檢測

          50mV/A(取決于傳感器)

           

           

           

          感性負(fù)載

          10mH、20mH、40mH、80mH、100mH

           

           

           

          重復(fù)間隙時(shí)間

          1-60s可調(diào)(步進(jìn)1s)重復(fù)次數(shù):1-50次

           

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