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          定位風(fēng)向標(biāo)準(zhǔn),風(fēng)力測試標(biāo)準(zhǔn),風(fēng)洞進(jìn)氣道引射器

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          • 公司名稱驟新電子科技上海有限公司
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          • 所  在  地
          • 廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
          • 更新時間2020/6/9 11:07:26
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          恒溫恒濕試驗機;高低溫試驗箱;高低溫交變試驗箱;老化試驗機;工業(yè)烘箱;真空烤箱;高溫箱;烤箱;烘箱;干燥箱;高溫試驗機;真空高溫箱;真空烤箱高溫箱;烤箱;烘箱;干燥箱;高溫試驗機;真空高溫箱;真空烤箱;冷熱沖擊試驗機;高低溫沖擊試驗機;鹽霧箱;鹽水噴霧試驗機;鹽霧腐蝕試驗機
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          二維MEMS風(fēng)速風(fēng)向傳感器的設(shè)計與測試

          風(fēng)速風(fēng)向是氣象資料中非常重要的部分,其測量在氣象預(yù)報、環(huán)境監(jiān)測與控制等方面有著重要的應(yīng)用。傳統(tǒng)的測量方法主要應(yīng)用風(fēng)杯來測量風(fēng)速,風(fēng)向標(biāo)測量風(fēng)向。這些機械裝置體積較大,價格昂貴,而且具有移動部件需要經(jīng)常維護。

          20年來,MEMS的發(fā)展為流量傳感器的發(fā)展帶來了新的突破。與傳統(tǒng)的流體測量裝置相比,熱流量傳感器具有體積小、成本低等優(yōu)點,是目前流體測量的發(fā)展方向。在目前見諸于報道的熱流量傳感器中,絕大部分都采用了標(biāo)準(zhǔn)IC工藝在硅襯底上加工。然而,硅具有很高的熱導(dǎo)率,及利用體硅芯片實現(xiàn)的熱溫差風(fēng)速風(fēng)向傳感器靈敏度不高。利用MEMS后處理工藝,包括正面腐蝕和背面腐蝕,可以提高靈敏度。但是腐蝕后的薄膜和梁結(jié)構(gòu)都比較脆弱,給封裝等后道工序帶來了不便。

          本文提出一種基于MEMS工藝的熱流量傳感器,如圖1所示。該傳感器采用恒功率工作方式,利用熱溫差原理測量風(fēng)速和風(fēng)向。芯片的加熱與測溫Pt電阻都采用圓形對稱結(jié)構(gòu),以提高風(fēng)向測量的精度。該傳感器在玻璃襯底上利用兩步金屬剝離工藝即可以完成芯片加工,結(jié)構(gòu)健壯,靈敏度高,對風(fēng)速風(fēng)向傳感器的產(chǎn)業(yè)化具有現(xiàn)實意義。

          工作原理

          目前,熱流量傳感器的工作原理主要有熱損失型和熱溫差型。當(dāng)流體流過加熱體的時候,上游的溫度下降會比下游快,從而導(dǎo)致加熱體附近熱場會發(fā)生變化。通過測量這個溫度差可以同時反映風(fēng)速和風(fēng)向。

          對于二維熱溫差型風(fēng)速計芯片,對流體感生的溫度梯度進(jìn)行分解,可以得到

          式中s為溫差對風(fēng)速的靈敏度系數(shù)。

          對于阻值為R溫度系數(shù)為α的測溫電阻,惠斯通電橋的輸出電壓分量為

          有限元模擬

          為了縮短研發(fā)周期,研究熱風(fēng)速計在不同風(fēng)速和風(fēng)向情況下的表面溫度分布,利用ANSYS對恒功率工作方式下的芯片表面溫度進(jìn)行了一系列模擬。為了便于ANSYS實體建模,進(jìn)行了一些簡化:考慮到鈦鉑電阻的厚度很薄而且間隙很小,用薄膜代替,并采用等效熱導(dǎo)率。此外,壓焊塊的影響也被忽略。加熱電阻半徑為450 μm,四周扇形測溫電阻內(nèi)徑為500 μm,外徑為1200 μm??紤]到風(fēng)吹過芯片表面要符合層流邊界條件,模型中空氣層的厚度取為500 μm

          為了提高有限元模擬的精度,利用ANSYSICEM CFD的模塊(Block)方法進(jìn)行網(wǎng)格劃分,然后導(dǎo)入ANSYS CFX進(jìn)行計算與分析。具體實施在CFX-Pre中,定義出流體域和固體域,并設(shè)置流-固耦合面和邊界條件;設(shè)置計算參數(shù),并將結(jié)果送入CFX-Solver進(jìn)行計算;利用CFX-Post查看計算結(jié)果。從圖2可以看出,熱損失和熱溫差原理都可以用于風(fēng)速測量,但是后者輸出較小,且存在量程限制。當(dāng)風(fēng)速較大時,由于上風(fēng)口不可能比環(huán)境溫度更低,而下風(fēng)口不可能比加熱條溫度更高,所以T會飽和,熱溫差測量風(fēng)速的時候量程受限。圖3為幾個典型風(fēng)速情況下,芯片的溫差隨著風(fēng)向360°變化時都呈正弦變化。

          測試結(jié)果

          本傳感器加工工藝簡單,利用單步剝離工藝即可在玻璃襯底上完成芯片加工。在室溫下,芯片加熱條和測溫電阻分別為400 Ω2 kΩ,溫度系數(shù)為1.05×10-3。本文在恒定加熱功率工作方式下,對不同風(fēng)速情況下的傳感器進(jìn)行了360°風(fēng)向測試。測試方法為固定加熱條電壓,將測溫電阻接成惠斯通電橋,然后利用儀器放大器進(jìn)行放大輸出。當(dāng)加熱條兩端電壓為2 V時,輸出電壓如圖4所示,兩路輸出隨風(fēng)向分別隨角度呈正弦和余弦變化。經(jīng)過反正切計算,誤差不超過10%。圖中T132,T135為風(fēng)速分別在2,5 ms時測溫電阻1,3間的溫差;T242,T245為風(fēng)速分別在25ms時測溫電阻2,4間的溫差。

           

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