摘要：日前，格科微宣布其在中國臺灣積體電路制造股份有限公司(“TSMC”)的12吋90nm(奈米)邏輯平臺上研發(fā)的“透硅成像”(Through SiliconI llumination,簡稱“TSI”)圖像傳感器制造技術取得成功，并即將進入量產(chǎn)階段。
　　
　　格科微的TSI技術具有全面的自主知識產(chǎn)權，包括電路設計、像素版圖設計以及與像素相關的工藝流程技術。該技術可以用于大規(guī)模制造1.75μm(微米)，1.4μm和1.1μm像素的CMOS圖像傳感器，并可延伸到0.9μm像素的技術節(jié)點。格科微預期將在2014年至2015年期間陸續(xù)推出基于該*技術的5Megapixel(百萬像素),8Megapixel以及12Megapixel的圖像傳感器系列產(chǎn)品。
　　
　　格科微的TSI技術具有如下優(yōu)勢：
　　
　　1.高性能：TSI技術在大幅度提高靈敏度、信噪比的同時，顯著地抑制了熱燥、暗電流和串擾等噪聲。
　　
　　2.高速度和低功耗：TSI技術采用TSMC的90nm工藝作為技術平臺，并進一步優(yōu)化相關工藝參數(shù)，同時結合格科微*的電路設計技術，實現(xiàn)了CMOS圖像傳感器的高速度與低功耗，由此保證高幀率預覽與拍照，同時保證芯片的低功耗從而實現(xiàn)出色的低熱燥水平。
　　
　　3.顯著的成本優(yōu)勢：TSI技術采用格科微自主創(chuàng)新的像素工藝技術，使用較少的工藝步驟實現(xiàn)*的圖像性能。
　　
　　“我們?yōu)門SI技術的研發(fā)成功和其展現(xiàn)出的優(yōu)異性能感到歡欣鼓舞。”格科微CEO趙立新表示，“同時我們感謝格科微相關團隊的表現(xiàn)和TSMC的大力支持，該技術得以及時研發(fā)成功。我們將迅速在這個性能*的技術平臺上推出基于1.1~1.4μm像素的5Megapixel、8Megapixel和12Megapixel系列產(chǎn)品，一舉打破美日韓公司壟斷高像素CMOS圖像傳感器市場的局面，為飛速發(fā)展的智能手機和平板電腦等移動互聯(lián)終端產(chǎn)品提供具有性能和性價比優(yōu)勢的世界*的圖像傳感器產(chǎn)品。”