摘要：IDT公司今天宣布，針對目前的無線產(chǎn)品推出業(yè)內(nèi)功耗zui低和線性zui高的IQ調(diào)制器。與同類產(chǎn)品相比，IDTF1650可直接連接高性能雙模數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC），降低功耗達50%，IM3失真降低12dB。這款器件是要求超低功耗的高性能LTE多輸入多輸出（MIMO）無線通信系統(tǒng)的理想選擇。
　　
　　在典型的多模、多載波基站發(fā)射器中，調(diào)制器線性有限且功耗較高，在數(shù)字預(yù)失真環(huán)境下對系統(tǒng)的鄰道泄漏比（ACLR）和功耗預(yù)算帶來負面影響。IDTF1650內(nèi)置Zero-Distortion技術(shù)，消除了這些缺陷，使工程師們能夠在很低功耗[500mW]下獲得很高的OIP2[60dBm]和OIP3[35dBm]。
　　
　　IDT副總裁兼時鐘和RF部門總DaveShepard表示：“IDTF1650是我們不斷豐富的*RF器件系列的新成員，將幫助我們的客戶開發(fā)市場的產(chǎn)品。我們的新低功耗IQ調(diào)制器解決了工程師們目前面臨的zui大挑戰(zhàn)，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)日益嚴格的功耗和性能預(yù)期。”
　　
　　通過IDTF1650運行MIMO可節(jié)約高達4瓦功耗，帶來更好的頻譜性能，并改進誤差向量幅度（EVM）。該器件可帶來超高線性度和3dB功耗增益，同時只增加極少噪音，且能夠直接與主流的JESD204B和DDRDACs連接。