“動(dòng)力星”DRT803/211B

IGBT驅(qū)動(dòng)變壓器

    DRT系列IGBT驅(qū)動(dòng)變壓器系我公司為驅(qū)動(dòng)IGBT和MOSFET而專門(mén)研制的產(chǎn)品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項(xiàng)應(yīng)用要求。

    一．產(chǎn)品特點(diǎn)：

    ①耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；

    ②漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；

    ③無(wú)開(kāi)關(guān)延時(shí)、瞬時(shí)傳輸功率高；

    ④抗電強(qiáng)度高，安全可靠；

    ⑤全封閉，機(jī)械和耐環(huán)境性能好；

    ⑥體積小巧，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。

    二．使用條件：

    ①環(huán)境溫度：-40℃~+85℃

    ②相對(duì)濕度：溫度為40℃時(shí)不大于90%

    ③大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）

    三．絕緣耐熱等級(jí)：F級(jí)（155℃）

    四．安全特性：

    ①絕緣電阻：常態(tài)時(shí)大于1000MΩ

    ②阻燃性：符合UL94-V₀級(jí)

    五．各參數(shù)意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術(shù)參數(shù)（典型值）

    ① 各參數(shù)的意義：

    u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    V_P—各繞組之間施加的抗電強(qiáng)度試驗(yàn)電壓之有效值，持續(xù)時(shí)間60s。

    ∫udt—額定伏微秒積≈V₁·t_n（在一定頻率范圍內(nèi)其值基本不變）。

    V₁—輸入脈沖幅度（初級(jí)脈沖電壓）。

    t_n—在相應(yīng)的V₁和F_P下驅(qū)動(dòng)變壓器的額定傳輸脈寬。

    V₂—輸出脈沖幅度（次級(jí)脈沖幅度）。

    R_L—IGBT模塊或MOSFET控制級(jí)等效電阻。

    L_P—線圈初級(jí)電感量 f=1000Hz V=0.3V

    L_S—漏感（將次級(jí)繞組短路后測(cè)量）f=1000Hz V=1V

    C_K—分布電容   f=1000Hz V=1V

    ② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術(shù)參數(shù)