膜技術(shù)和蒸發(fā)結(jié)合工藝廠家概述：

蒸發(fā)工藝是將固體材料置于高真空環(huán)境中加熱，使之升華或蒸發(fā)并淀積在特定的襯底上，以獲得薄膜的工藝方法。真空蒸發(fā)工藝在微電子技術(shù)中主要用于制作有源元件、器件的接觸及其金屬互連、高精度低溫度系數(shù)的薄膜電阻器，以及薄膜電容器的絕緣介質(zhì)和電極等。

膜技術(shù)和蒸發(fā)結(jié)合工藝廠家原理：

真空蒸發(fā)所得到的薄膜，一般都是多晶膜或無定形膜，經(jīng)歷成核和成膜兩個(gè)過程。蒸發(fā)的原子（或分子）碰撞到基片時(shí)，或是*附著在基片上，或是吸附后再蒸發(fā)而離開基片，其中有一部分直接從基片表面反射回去。粘附在基片表面的原子（或分子）由于熱運(yùn)動(dòng)可沿表面移動(dòng)，如碰上其他原子便積聚成團(tuán)。這種團(tuán)zui易于發(fā)生在基片表面應(yīng)力高的地方，或在晶體襯底的解理階梯上，因?yàn)檫@使吸附原子的自由能zui小。這就是成核過程。進(jìn)一步的原子（分子）淀積使上述島狀的團(tuán)（晶核）不斷擴(kuò)大，直至展延成連續(xù)的薄膜。因此，真空蒸發(fā)多晶薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，與蒸發(fā)速度、襯底溫度有密切關(guān)系。一般說來，襯底溫度越低，蒸發(fā)速率越高，膜的晶粒越細(xì)越致密。

方法：

蒸發(fā)主要有電子束蒸發(fā)、多源蒸發(fā)、瞬時(shí)蒸發(fā)、激光蒸發(fā)和反應(yīng)蒸發(fā)等方法。①電子束蒸發(fā):在5～10千伏/厘米電場下使電子束加速，并通過電子透鏡使電子束聚焦，使坩堝中蒸發(fā)材料的溫度升高到蒸發(fā)溫度而蒸發(fā)。蒸發(fā)材料的熔融只限于表面的局部區(qū)域，使坩堝保持較低溫度，而且電子束可以通過磁場轉(zhuǎn)彎，從而把陰極雜質(zhì)蒸發(fā)擋住。這種蒸發(fā)方法不僅可以達(dá)到較高的溫度（約3000），而且污染很少。電子束加熱按聚焦方式分為:直槍式、E槍式和環(huán)形槍式。直槍式具有較高的功率密度，適合于蒸發(fā)高熔點(diǎn)材料（如氧化鋁、氧化鋯、鉭、鉬等）。E槍式具有功率容量大 (約10千瓦)的特點(diǎn)，適于導(dǎo)熱性好的材料如鋁、金的蒸發(fā)，并可獲得高達(dá)1微米/分的蒸發(fā)速度,而且發(fā)射電子的燈絲不受蒸發(fā)材料的沾污。環(huán)形槍式雖然結(jié)構(gòu)簡單，但不具備上述特點(diǎn)，使用較少。這幾種加熱方式僅適用于單元素材料的蒸發(fā)。