在進(jìn)行電路設(shè)計(jì)時(shí)，應(yīng)針對(duì)影響IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相應(yīng)的保護(hù)措施。

　　1.IGBT柵極的保護(hù)

　　2.集電極與發(fā)射極間的過(guò)壓保護(hù)

　　過(guò)電壓的產(chǎn)生主要有兩種情況，一種是施加到IGBT集電極－發(fā)射極間的直流電壓過(guò)高，另一種為集電極－發(fā)射極上的浪涌電壓過(guò)高。

　?。?）直流過(guò)電壓
 
　　直流過(guò)壓產(chǎn)生的原因是由于輸入交流電源或IGBT的前一級(jí)輸入發(fā)生異常所致。解決的辦法是在選取IGBT時(shí)，進(jìn)行降額設(shè)計(jì)；另外，可在檢測(cè)出這一過(guò)壓時(shí)分?jǐn)郔GBT的輸入，保證IGBT的安全。

　　（2）浪涌電壓的保護(hù)

　　因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?，加之IGBT的開(kāi)關(guān)速度較高，當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt，威脅IGBT的安全。

　　3.集電極電流過(guò)流保護(hù)

　　對(duì)IGBT的過(guò)流保護(hù)，主要有3種方法。

　?。?）用電阻或電流互感器檢測(cè)過(guò)流進(jìn)行保護(hù)

　　（2）由IGBT的VCE（sat）檢測(cè)過(guò)流進(jìn)行保護(hù)

　?。?）檢測(cè)負(fù)載電流進(jìn)行保護(hù)

　　（4）過(guò)熱保護(hù)

　　一般情況下流過(guò)IGBT的電流較大，開(kāi)關(guān)頻率較高，故而器件的損耗也比較大，如果熱量不能及時(shí)散掉，使得器件的結(jié)溫Tj超過(guò)Tjmax，則IGBT可能損壞。

　　IGBT的功耗包括穩(wěn)態(tài)功耗和動(dòng)態(tài)動(dòng)耗，其動(dòng)態(tài)功耗又包括開(kāi)通功耗和關(guān)斷功耗。在進(jìn)行熱設(shè)計(jì)時(shí)，不僅要保證其在正常工作時(shí)能夠充分散熱，而且還要保證其在發(fā)生短時(shí)過(guò)載時(shí)，IGBT的結(jié)溫也不超過(guò)Tjmax。

　　當(dāng)然，受設(shè)備的體積和重量等的限制以及性?xún)r(jià)比的考慮，散熱系統(tǒng)也不可能無(wú)限制地?cái)U(kuò)大?？稍诳拷麵GBT處加裝一溫度繼電器等，檢測(cè)IGBT的工作溫度?？刂茍?zhí)行機(jī)構(gòu)在發(fā)生異常時(shí)切斷IGBT的輸入，保護(hù)其安全。