新突破！我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

2025-02-07 09:38:45來源：快科技關(guān)鍵詞：第三代半導(dǎo)體制造材料功率器件閱讀量：24259

導(dǎo)讀：經(jīng)過一個多月緊張而細(xì)致的在軌加電試驗(yàn)，我國成功完成了高壓400V碳化硅（SiC）功率器件的在軌試驗(yàn)與應(yīng)用驗(yàn)證。測試數(shù)據(jù)表明，該器件在電源系統(tǒng)中的靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)均符合預(yù)期，表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。

　　據(jù)報道，我國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導(dǎo)體材料有望牽引我國航天電源升級換代。

　　據(jù)介紹，功率器件作為電能變換和控制的核心組件，被譽(yù)為“電力電子系統(tǒng)的核心”，其重要性不言而喻。它是電子設(shè)備中最基礎(chǔ)且應(yīng)用最為廣泛的器件之一，對于提升整體系統(tǒng)性能具有關(guān)鍵作用。

　　然而，隨著硅基功率器件的性能逐漸逼近其物理極限，尋找新型材料成為推動技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。此時，以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料憑借其獨(dú)特優(yōu)勢脫穎而出。

　　碳化硅材料具有高能效、小型化、輕量化等顯著特點(diǎn)，完美契合了空間電源系統(tǒng)對于高性能、高效率以及輕量化的迫切需求，對推動新一代航天技術(shù)發(fā)展具有深遠(yuǎn)的戰(zhàn)略意義。

　　經(jīng)過一個多月緊張而細(xì)致的在軌加電試驗(yàn)，我國成功完成了高壓400V碳化硅（SiC）功率器件的在軌試驗(yàn)與應(yīng)用驗(yàn)證。測試數(shù)據(jù)表明，該器件在電源系統(tǒng)中的靜態(tài)和動態(tài)參數(shù)均符合預(yù)期，表現(xiàn)穩(wěn)定可靠。

　　業(yè)內(nèi)專家對此給予了高度評價，認(rèn)為我國在太空領(lǐng)域成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件，標(biāo)志著我國在空間載荷需求日益嚴(yán)格(常以“克”為單位計量)的背景下，碳化硅(SiC)功率器件有望成為推動空間電源系統(tǒng)升級換代的關(guān)鍵力量。

　　這一突破不僅為我國航天技術(shù)的發(fā)展注入了新的活力，更為未來探月工程、載人登月以及深空探測等領(lǐng)域提供了新一代高性能功率器件的有力支撐。

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