士蘭微榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎

2024-01-03 15:46:34來源：士蘭微關(guān)鍵詞：SiC器件閱讀量：21300

導(dǎo)讀：士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎。

　　日前，由行家信息科技、行家芯網(wǎng)科技主辦的行家說三代半年會“2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎頒獎典禮”在深圳國際會展中心舉辦。其中，士蘭微電子榮獲“中國SiC器件IDM十強企業(yè)”獎。

　　SSM1R7PB12B3DTFM是士蘭微電子基于自主知識產(chǎn)權(quán)的SiC MOS芯片技術(shù)所開發(fā)的六單元拓撲模塊，是士蘭微電子推出的新能源電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域的主力產(chǎn)品之一，具有高電流密度、高短路能力和高阻斷電壓等級等優(yōu)勢，為嚴苛環(huán)境條件下的逆變器運行提供更可靠的保障。

　　該產(chǎn)品具有行業(yè)先進的高阻斷電壓、低導(dǎo)通電阻和高電流密度等技術(shù)指標，整體可靠性上達到國際先進水平。

　　該產(chǎn)品從芯片上采用低界面態(tài)密度和高溝道遷移率的SiC/SiO2氧化工藝研發(fā)，單芯片導(dǎo)通電阻達到甚至優(yōu)于國外同級別器件水平；封裝方面攻克納米銀燒結(jié)、銅線鍵合技術(shù)并實現(xiàn)量產(chǎn)。

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