特點(diǎn)：

1、高產(chǎn)能、高速率

2、高可靠性、高均一性

3、壽命長(zhǎng)、易維護(hù)保養(yǎng)

4、高性價(jià)比

5、優(yōu)良的

6、優(yōu)良的服務(wù)

【HT2000F型外延生長(zhǎng)爐】

   HT2000F實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)的厚膜生長(zhǎng)和阻抗的均一性，具有高效率、環(huán)保節(jié)能的特點(diǎn)，是6 - 8寸半導(dǎo)體硅片上外延生長(zhǎng)厚膜的理想裝置。

  在引入嶄新的設(shè)計(jì)理念和核心技術(shù)的背景下，HT2000F具有如下突出的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)：

1、 可實(shí)現(xiàn)8寸硅片上150um以上厚膜的高速生長(zhǎng)（>8um/min）

2、 垂直向的氣體流向控制

3、 高速的硅片旋轉(zhuǎn)

4、 多腔構(gòu)造（multi-chamber）

5、 對(duì)應(yīng)于新/舊能源發(fā)電、混合動(dòng)力車(chē)等新興領(lǐng)域不斷高漲的需求而提出的功率半導(dǎo)體器件的高耐壓、高性能化，HT2000F使用了高精度的面狀加熱器，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了品質(zhì)的提升和成本的下降

6、 成膜速度和氣體利用效率比其它市場(chǎng)產(chǎn)品快2 - 3倍！同時(shí)，以近一半的耗電量（<120kVA）實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)成本30%以上的削減

7、 品質(zhì)方面的指標(biāo)：

a）        面內(nèi)膜厚均一性：<±1%

b）        面內(nèi)電阻率均一性：      <±3%

c）        批內(nèi)膜厚均一性：<±1%

d）        批內(nèi)電阻率均一性：      <±3%